[实用新型]一种用镀钯金线键合硅麦芯片封装结构有效
| 申请号： | 201921368135.8 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN211004544U | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 陈贤明 | 申请（专利权）人： | 罗定市英格半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人： | 谢肖雄 |
| 地址： | 527200 广东省云*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用镀钯金线键合硅麦 芯片 封装 结构 | ||
1.一种用镀钯金线键合硅麦芯片封装结构，其特征在于，包括PCB封装基板(1)，所述PCB封装基板(1)上设置有键合区(2)，所述PCB封装基板(1)上依次设置有ASIC芯片(3)和MEMS芯片(4)，所述ASIC芯片(3)外侧覆盖有软胶保护层(5)，所述ASIC芯片(3)与所述MEMS芯片(4)之间及所述ASIC芯片(3)与所述PCB封装基板键合区(2)之间分别均通过镀钯金线(6)连接。
2.根据权利要求1所述的一种用镀钯金线键合硅麦芯片封装结构，其特征在于，所述镀钯金线(6)内芯为纯金外层为钯镀层。
3.根据权利要求1所述的一种用镀钯金线键合硅麦芯片封装结构，其特征在于，所述键合区(2)表面设置有双层金属薄膜。
4.根据权利要求1所述的一种用镀钯金线键合硅麦芯片封装结构，其特征在于，所述软胶保护层(5)为聚酰亚胺。
5.根据权利要求1所述的一种用镀钯金线键合硅麦芯片封装结构，其特征在于，所述PCB封装基板(1)上设置有正极接口VDD、负极接口GND及输出接口OUT，所述ASIC芯片(3)上设置有第一端口、第二端口、第三端口、第四端口、第五端口及第六端口，所述MEMS芯片(4)上设置有偏压接口BIAS和通信接口SIGNAL；
其中，所述正极接口VDD与所述第六端口连接，所述负极接口GND与所述第二端口连接，所述输出接口OUT与所述第一端口连接；所述偏压接口BIAS与所述第五端口连接，所述通信接口SIGNAL与所述第四端口连接。
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