[实用新型]一种CMOS跨阻放大器

权利要求书

1.一种CMOS跨阻放大器，其特征在于：

所述CMOS跨阻放大器包括反向放大电路，所述反向放大电路包括输入端和输出端，所述输入端用以接入输入电压信号，所述输出端用以输出放大电压信号；

所述反向放大电路包括至少三个依次连接的放大单元，每一所述放大单元包括至少三个相互耦接的nFET；所述至少三个相互耦接nFET中，输入信号接收部nFET用于接入输入电压，直流信号接收部nFET用于接入直流电压信号，在输入信号接收部nFET和直流信号接收部nFET之间的位置耦接有中间部nFET，所述中间部nFET至少包括一个nFET，所述输入信号接收部nFET与其中一个中间部nFET具有公共连接端，所述公共连接端用于输出放大后的电压信号；

所述CMOS跨阻放大器还包括一反馈电阻，所述反馈电阻耦接与所述反向放大电路的输入端和输出端之间。

2.根据权利要求1所述的CMOS跨阻放大器，其特征在于：

所述反向放大电路包括一级放大单元，二级放大单元和三级放大单元；

所述一级放大单元，包括输入端和输出端，输入端耦接光电二极管，并用于接入输入电压信号，输出端用于输出经由一级放大单元放大的第一电压信号；

所述二级放大单元，包括输入端和输出端，输入端与所述一级放大单元的输出端耦接，用以接入第一电压信号，输出端用以输出二级放大后的第二电压信号；

所述三级放大单元，包括输入端和输出端，输入端与所述二级放大单元的输出端耦接，用以接入第二电压信号，输出端用以输出三级放大后的放大电压信号。

3.根据权利要求2所述的CMOS跨阻放大器，其特征在于：

所述一级放大单元的输入信号接收部nFET为第一nFET，中间部nFET为第二nFET，直流信号接收部nFET为第三nFET；

所述第一nFET的栅极耦接光电二极管的一端，用以接收输入电压信号，所述第一nFET的漏极用以输出第一电压信号，所述第一nFET的源极接地；

所述第二nFET的源极与所述第一nFET的漏极连接，所述第二nFET的栅极与所述第二nFET的源极连接；

所述第二nFET的漏极、栅极均与所述第三nFET的源极连接，所述第三nFET的栅极和所述第三nFET的漏极均用以接收直流信号；

所述第三nFET的源极将直流电压信号输出并传递给所述第二nFET的栅极、漏极，所述第二nFET的栅极、漏极接入由所述第三nFET的源极传递过来的直流电压信号。

4.根据权利要求3所述的CMOS跨阻放大器，其特征在于：

所述二级放大单元的输入信号接收部nFET为第四nFET，中间部nFET为第五nFET，直流信号接收部nFET为第六nFET；

所述第四nFET的栅极耦接一级放大单元的输出端，用以接收第一电压信号，所述第四nFET的漏极用以输出二级放大后的第二电压信号，所述第四nFET的源极接地；

所述第五nFET的源极与所述第四nFET的漏极连接，所述第五nFET的栅极与所述第五nFET的源极连接；

所述第五nFET的漏极、栅极均与所述第六nFET的源极连接，所述第六nFET的栅极和所述第六nFET的漏极均用以接收直流信号；

所述第六nFET的源极将直流电压信号输出并传递给所述第五nFET的栅极、漏极，所述第五nFET的栅极、漏极接入由所述第六nFET的源极传递过来的直流电压信号。