[实用新型]存储单元及反熔丝结构

权利要求书

1.一种反熔丝结构，其特征在于，包括：

第一导电层；

反熔丝层，设于所述第一导电层上，且所述反熔丝层包括磁性隧道结；

第二导电层，设于所述反熔丝层远离所述第一导电层的一侧。

2.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，所述反熔丝结构还包括：

衬底，具有承载面，所述承载面形成有沟槽；

隔离结构体，填充于所述沟槽，所述第一导电层设于所述隔离结构体上，且所述第一导电层在所述衬底上的投影位于所述隔离结构体在所述衬底上的投影区域内。

3.根据权利要求2所述的反熔丝结构，其特征在于，所述第二导电层在所述衬底上的投影与所述第一导电层在所述衬底上的投影不重合。

4.根据权利要求3所述的反熔丝结构，其特征在于，所述反熔丝结构还包括：

间隙壁，所述间隙壁位于所述第一导电层和所述反熔丝层的侧壁上，且所述间隙壁部分包围所述第一导电层。

5.根据权利要求3所述的反熔丝结构，其特征在于，所述反熔丝结构还包括：

第一接触电极，与所述第一导电层连接；

第二接触电极，与所述第二导电层连接。

6.根据权利要求5所述的反熔丝结构，其特征在于，所述反熔丝结构还包括：

保护顶层，设于所述第二导电层远离所述反熔丝层的一侧，所述第二接触电极嵌入于所述保护顶层。

7.根据权利要求2所述的反熔丝结构，其特征在于，所述反熔丝结构还包括：

栅氧化层，设于所述隔离结构体与所述第一导电层之间。

8.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，所述磁性隧道结包括：

磁性参考层，设于所述第一导电层上；

隧道阻挡层，设于所述磁性参考层远离所述第一导电层的一侧；

自由层，设于所述隧道阻挡层远离所述磁性参考层的一侧。

9.一种存储单元，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的反熔丝结构。