[实用新型]一种高抑制低插损E-band双工器

说明书

本实用新型涉及一种高抑制低插损E‑band双工器，包括一个公共端口和两个输入输出端口，所述公共端口和两个输入输出端口之间分别具有六个谐振腔，所述谐振腔的位置呈一字型布置，且每六个谐振腔内还设置有一双模腔，所述谐振腔三个一组，分设在双模腔的左右两侧设置，所述谐振腔的内边开设有窗口，构成连通，并使其形成电耦合设置。本实用新型可缩短项目周期，节省人力资源，提升双工器抑制度、降低插损、降低加工灵敏度。

技术领域

本实用新型属于滤波器技术领域，尤其涉及滤波器腔与腔之间的耦合结构及双模腔的高抑制低插损E-band双工器。

背景技术

微波双工器在微波中继通信、雷达、天馈系统、电子对抗及微波测量仪表中得到及其广泛的应用。近几年基础工业和加工机械精密度的提升，E-band双工器已经成为毫米波广泛使用的滤波器形式，它结构简单、体积小、损耗低、易于批量生产，并具有优良的滤波特性。随着5G的兴起，对传输设备的带宽要求越来越高，考虑到E-band频谱资源丰富，加上基础加工业的提升，估市场上对E-band需求量会成几何增长。目前E-band双工器只是单纯的主模电感耦合形式，设计简单，但滤波器带宽较宽，电感耦合会很快出现寄生通带，需要增加低通抑制，既浪费工程师设计时间，又浪费物料成本，还耽误项目进度，并且双工器的电性能指标还不优良。因此，必须采用新的结构和设计方案完成E-band 双工器设计。

有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研究创新，以期创设一种新型结构的高抑制低插损E-band双工器，使其更具有产业上的利用价值。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种高抑制低插损E-band 双工器。

为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种高抑制低插损E-band双工器，包括一个公共端口和两个输入输出端口，所述公共端口和两个输入输出端口之间分别具有六个谐振腔，所述谐振腔的位置呈一字型布置，且每六个谐振腔内还设置有一双模腔，所述谐振腔三个一组，分设在双模腔的左右两侧设置，所述谐振腔的内边开设有窗口，构成连通，并使其形成电耦合设置。

优选地，所述的一种高抑制低插损E-band双工器，所述公共端口中心轴和两个输入输出端口的中心轴相互平行。

优选地，所述的一种高抑制低插损E-band双工器，所述公共端口上设置有 E-T转换接头。

优选地，所述的一种高抑制低插损E-band双工器，所述双模腔呈凸型结构设置。

优选地，所述的一种高抑制低插损E-band双工器，所述双工器由腔体和盖板构成，并通过螺栓固定，所述谐振腔和双模腔位于腔体内，两个所述输入输出端口开口位于所述腔体底面，所述公共端口的开口位于盖板的顶面上设置。

优选地，所述的一种高抑制低插损E-band双工器，所述盖板上设置有“8”字形结构的极化器，与E-T转换接头相连，并形成水平信号的出口或垂直信号的出口设置。

优选地，所述的一种高抑制低插损E-band双工器，所述“8”字形结构的极化器的长度为5.7mm，两段宽度为1.93mm，中间宽度为1.6mm，且中间为圆弧结构，且深度为1mm。

优选地，所述的一种高抑制低插损E-band双工器，所述双模腔两侧的谐振腔从外侧至内侧的内边的窗口从低逐渐变高设置，其内侧的内边高度低于腔体的高度。

借由上述方案，本实用新型至少具有以下优点：