[实用新型]一种直流大功率电源宽脉冲浪涌抑制电路有效
| 申请号： | 201921405424.0 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN210517784U | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 刘昌健;李建华;谢锦涛;胡朝纲;李浔;彭云龙;游彬;胡逸;徐明萌;吴皓晨 | 申请（专利权）人： | 江西洪都航空工业集团有限责任公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H02M1/32;H02M3/00 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心 11008 | 代理人： | 杜永保 |
| 地址： | 330024 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 直流 大功率 电源 脉冲 浪涌 抑制 电路 | ||
1.一种直流大功率电源宽脉冲浪涌抑制电路，其特征在于，采用稳压二极管和电阻串联构成基准电压产生电路，用一个增强型N沟道增强型MOSFET和一个P沟道增强型MOSFET及三个电阻，构成负反馈电路，基准电压产生电路和负反馈电路构成直流大功率电源宽脉冲浪涌抑制电路。
2.如权利要求1所述的直流大功率电源宽脉冲浪涌抑制电路，其特征在于，所述基准电压产生电路包括电阻R1，稳压二极管；电阻R1的一端与正电源输入端相连，电阻R1的另一端与稳压二极管的阴极相连，稳压二极管的阳极与电源地相连。
3.如权利要求1所述的直流大功率电源宽脉冲浪涌抑制电路，其特征在于，所述负反馈电路包括电阻R2，N沟道增强型MOSFET，P沟道增强型MOSFET，电阻R3，电阻R4；N沟道增强型MOSFET的漏极与电阻R2及P沟道增强型MOSFET的栅极相连，电阻R2的另一端、P沟道增强型MOSFET的源极与输入电源的正极相连，电阻R3的一端和P沟道增强型MOSFET的漏极相连构成宽脉冲浪涌抑制电路的输出端，电阻R3的另一端和电阻R4的一端与N沟道增强型MOSFET的源极相连，电阻R4的另一端与电源地相连。
4.如权利要求1所述的直流大功率电源宽脉冲浪涌抑制电路，其特征在于，所述稳压二极管的阴极与N沟道增强型MOSFET栅极相连。
5.如权利要求1所述的直流大功率电源宽脉冲浪涌抑制电路，其特征在于，所述P沟道增强型MOSFET为低阻值、大功率MOSFET管。
6.如权利要求1所述的直流大功率电源宽脉冲浪涌抑制电路，其特征在于，所述稳压二极管为高精度稳压二极管。
7.如权利要求1所述的直流大功率电源宽脉冲浪涌抑制电路，其特征在于，所述抑制电路为负反馈电路。
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