[实用新型]FBAR滤波器有效
| 申请号： | 201921406463.2 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN210444236U | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市艾佛光通科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/54 | 分类号： | H03H9/54;H03H9/17;H03H9/02;H03H3/02 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 杨艳 |
| 地址： | 510000 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | fbar 滤波器 | ||
1.一种FBAR滤波器，其特征在于，所述FBAR滤波器包括：
键合衬底，所述键合衬底一侧设置有与第一键合层键合连接的第二键合层，支撑层设置在第一键合层远离第二键合层的一侧；
第一电极，所述第一电极设置在支撑层远离第一键合层的一侧，支撑层空腔贯穿所述支撑层、第二键合层且两端分别接触所述第一电极、所述键合衬底；
压电薄膜，所述压电薄膜设置在所述第一电极远离所述支撑层一侧，电极上引结构贯穿压电薄膜与第一电极连接，顶电极设置在压电薄膜远离第一电极一侧，与所述电极上引结构部分连接；
第一通孔，所述第一通孔贯穿所述键合衬底与所述支撑层空腔连接。
2.如权利要求1所述的FBAR滤波器，其特征在于，所述第一电极的数量为4个，间隔设置在压电薄膜上。
3.如权利要求2所述的FBAR滤波器，其特征在于，所述电极上引结构的数量为2个，间隔设置，并分别与不同所述第一电极连接。
4.如权利要求3所述的FBAR滤波器，其特征在于，所述顶电极包括第一顶电极、第二顶电极，所述第一顶电极靠近所述第二顶电极的一端与所述电极上引结构连接。
5.如权利要求1所述的FBAR滤波器，其特征在于，所述压电薄膜的厚度为0.02微米至10微米。
6.如权利要求1所述的FBAR滤波器，其特征在于，所述支撑层空腔和所述第一通孔的数量为2个，所述支撑层空腔与所述第一通孔一一对应并连通。
7.如权利要求1所述的FBAR滤波器，其特征在于，所述第一电极与所述顶电极的厚度为20纳米至500纳米。
8.如权利要求1所述的FBAR滤波器，其特征在于，所述第二键合层的厚度为0.3微米至3微米。
9.如权利要求1所述的FBAR滤波器，其特征在于，所述第一通孔为圆形，孔径为2微米至30微米。
10.如权利要求1所述的FBAR滤波器，其特征在于，所述FBAR滤波器包括10MHZ至100GHZ频率范围内的FBAR滤波器。
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