[实用新型]一种功率型电路

说明书

本实用新型公开了一种功率型电路，包括驱动芯片，所述驱动芯片的引脚VCC连接有电阻R1的一端、电容C2的正极、二极管D2的负极；所述电容C2的负极接地；所述电阻R1的另一端连接有电容C1的正极，所述电容C1的负极接地；所述驱动芯片的引脚ZCD连接有电阻R2的一端，所述R2的另一端与所述二极管D2的正极相连并连接有变压器T初级线圈的一端，所述变压器T初级线圈的另一端接地。本实用新型在电路中增加一颗安规电容，可以有效降低30MHz‑100MHz的干扰强度。

技术领域

本实用新型涉及电路技术领域，具体来说，涉及一种功率型电路。

背景技术

现有的功率型电路往往容易受到电磁干扰，为解决电磁干扰问题，经长时间测试验证，在电路中增加一颗安规电容，可以有效降低30MHz-100MHz的干扰强度。

针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

实用新型内容

针对相关技术中的上述技术问题，本实用新型提出一种功率型电路，能够解决上述问题。

为实现上述技术目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：

一种功率型电路，包括驱动芯片，所述驱动芯片的引脚VCC连接有电阻R1的一端、电容C2的正极、二极管D2的负极；所述电容C2的负极接地；所述电阻R1的另一端连接有电容C1的正极，所述电容C1的负极接地；所述驱动芯片的引脚ZCD连接有电阻R2的一端，所述R2的另一端与所述二极管D2的正极相连并连接有变压器T初级线圈的一端，所述变压器T初级线圈的另一端接地；所述变压器T的次级线圈一端连接所述电容C1的正极，另一端连接有二极管D3的正极和MOS管的漏极，所述二极管D3的负极连接有电容C3的正极和电阻RF1的一端，所述电阻RF1的另一端连接有电阻RF2的一端，所述电阻RF2的另一端和所述电容C3的负极均接地；所述驱动芯片的引脚DOP连接所述MOS管的栅极，所述MOS管的源极连接有电阻RS的一端，所述电阻RS的另一端连接有电容CS1，所述电容CS1的另一端接地，所述电阻RS的另一端也接地；所述驱动芯片的引脚CS连接所述电阻RS的一端，所述驱动芯片的引脚VFB连接所述电阻RF1的一端。

本实用新型的有益效果：本实用新型在电路中增加一颗安规电容，可以有效降低30MHz-100MHz的干扰强度。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是功率型电路的电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。