[实用新型]水陆两用原位电弧增材制造设备有效
申请号: | 201921411521.0 | 申请日: | 2019-08-28 |
公开(公告)号: | CN210587585U | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
发明(设计)人: | 王振民;钟启明;徐孟嘉;张芩 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | B23K9/04 | 分类号: | B23K9/04;B23K9/00;B23K9/32;B23K9/16;B33Y10/00;B33Y30/00 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 霍健兰;梁莹 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 水陆 两用 原位 电弧 制造 设备 | ||
1.一种水陆两用原位电弧增材制造设备,其特征在于:包括宽禁带增材电源、潜水送丝机、焊炬、保护装置、机器人、压缩气装置和保护气装置;
所述焊炬与机器人连接,以实现机器人带动焊炬移动进行电弧增材操作;所述宽禁带增材电源、潜水送丝机和焊炬依次连接;所述潜水送丝机还与保护气装置连接;所述宽禁带增材电源分别与压缩气装置和保护气装置连接,以实现压缩气装置和保护气装置的打开和关闭;
所述保护装置包括内外套设的内筒和外罩;所述内筒形成内通孔;内通孔的顶部通过螺纹与焊炬的端部连接;外罩和内筒之间形成开口向下、呈收敛形的层间收敛腔体;层间收敛腔体壁设有螺旋结构;所述外罩连接有至少一个进气管;压缩气装置通过进气管与层间收敛腔体连通。
2.根据权利要求1所述的水陆两用原位电弧增材制造设备,其特征在于:所述螺旋结构包括沿外罩内壁设置的螺旋线凸纹和绕内筒外壁设置的螺旋形凸起。
3.根据权利要求1所述的水陆两用原位电弧增材制造设备,其特征在于:所述焊炬远离保护装置的一端固定于潜水送丝机的密封罩上,使潜水送丝机输出的焊丝经过焊炬伸出到内通孔中;潜水送丝机的密封罩还与保护气装置相连,使保护气装置输出的保护气通过潜水送丝机和焊炬流入到内通孔中。
4.根据权利要求1所述的水陆两用原位电弧增材制造设备,其特征在于:所述进气管为两个以上;各个进气管分别与外罩连接;各个进气管分别与层间收敛腔体相切,以使压缩气体进入层间收敛腔体后形成旋转气流。
5.根据权利要求1所述的水陆两用原位电弧增材制造设备,其特征在于:还包括用于获取焊丝与母材之间距离的视觉传感器;视觉传感器设置在机器人上,并与机器人信号连接。
6.根据权利要求1所述的水陆两用原位电弧增材制造设备,其特征在于:所述宽禁带增材电源包括主电路和控制电路;
所述主电路包括依次连接的输入整流滤波电路、宽禁带全桥逆变电路、高频变压器和宽禁带全波整流滤波电路;其中,输入整流滤波电路与三相工频交流电相连,全波整流滤波电路与增材电弧负载相连。
7.根据权利要求6所述的水陆两用原位电弧增材制造设备,其特征在于:所述宽禁带全桥逆变电路由宽禁带半导体功率开关管连接成全桥拓扑结构构成;所述宽禁带半导体功率开关管是指SiC MOSFET或SiC IGBT或GaN功率器件;
所述宽禁带全波整流滤波电路由宽禁带肖特基二极管以及输出滤波电抗连接成全波整流滤波拓扑结构构成;宽禁带肖特基二极管是指SiC肖特基二极管或GaN肖特基二极管。
8.根据权利要求6所述的水陆两用原位电弧增材制造设备,其特征在于:所述控制电路包括与三相工频交流电相连并用于供电的供电电路、微处理器,以及与微处理器相连的宽禁带器件高频驱动电路、采样反馈电路和开关信号控制电路;
所述宽禁带器件高频驱动电路与主电路的宽禁带全桥逆变电路连接;所述采样反馈电路与宽禁带全波整流滤波电路连接;所述开关信号控制电路连接分别与压缩气装置和保护气装置连接。
9.根据权利要求8所述的水陆两用原位电弧增材制造设备,其特征在于:所述开关信号控制电路包括达林顿晶体管阵列驱动芯片ULN1和两路驱动单元;两路驱动单元均包括高速光耦U1、MOS管M1和二极管D1;
所述供电电路设有电源一和电源二,且电源一的供电电压≤电源二的供电电压;所述达林顿晶体管阵列驱动芯片ULN1的输入端与微处理器连接;高速光耦U1的输入端分别与电源一和达林顿晶体管阵列驱动芯片ULN1的输出端连接;高速光耦U1的输出端一与电源二连接;高速光耦U1的输出端二通过串联的电阻R3和电阻R5与MOS管M1栅极连接;电阻R3和电阻R5连接处通过电阻R6与MOS管M1源极连接,MOS管M1源极接地;MOS管M1漏极与二极管D1的正极连接,二极管D1的负极与电源二连接;高速光耦U1的输出端一与高速光耦U1的输出端二之间连接有电容C1;电源二和MOS管M1漏极共同作为开关信号控制电路的输出端。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学,未经华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921411521.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。