[实用新型]一种基于裸芯片的GaN功放管偏置保护电路

权利要求书

1.一种基于裸芯片的GaN功放管偏置保护电路，其特征在于：包括开机保护电路、时序电路、电流采样电路、过流保护电路、栅极压偏置电路和栅压切换电路，所述开机保护电路的输入电压为VIN和V-、控制信号为KJ，所述开机保护电路的输出端分别连接电流采样电路和时序电路的输入端，所述时序电路的输出信号为KD和KG，所述KD和KG分别为过流保护电路和栅极压切换电路提供输入信号，所述过流保护电路的输出电压为VD，为GaN功放管提供漏极电压，所述过流保护电路的输出信号为ZC，为栅极压切换电路提供输入信号，栅极压偏置电路接入的供电电压为V-，输出栅极截止电压VG_off和栅极额定电压VG_on，所述栅极压切换电路的输出端为VG，为GaN功放管提供栅极电压。

2.根据权利要求1所述的一种基于裸芯片的GaN功放管偏置保护电路，其特征在于：所述开机保护电路包括第一开关电路和第二开关电路，所述第一开关电路的输入端输入VIN连接电阻R1和P沟道MOSFET裸芯片的源极，所述P沟道MOSFET裸芯片的栅极连接电阻R2，所述电阻R2连接与三极管的集电极，所述三极管的发射极连接与电阻R3,所述电阻R3的输入电压为-5V，所述P沟道MOSFET裸芯片的漏极连接与第二开关电路中的P沟道MOSFET裸芯片的源极和电阻R4，所述电阻R4和P沟道MOSFET裸芯片的栅极均连接与电阻R5，所述电阻R5连接N沟道MOSFET裸芯片的漏极，所述N沟道MOSFET裸芯片的栅极连接与电阻R6，所述控制信号KJ经电阻R6接入电路。

3.根据权利要求2所述的一种基于裸芯片的GaN功放管偏置保护电路，其特征在于：所述电流采样电路包括有电流检测放大器芯片、R7、R8、R9、R10、R11、裸芯片二极管D1以及电容C1，所述电流检测放大器芯片有5个引脚，分别是OUT、V-、IN-、IN+和V+ ，所述P沟道MOSFET裸芯片的漏极连接于电流检测放大器芯片的V+脚，所述电阻R7连接电流检测放大器的V+脚和IN+脚，所述电阻R8连接电流检测放大器的V+脚和IN-脚，所述电阻R10连接电流检测放大器的V-脚和OUT脚，所述电阻R9连接于电阻R10和裸芯片二极管D1的阳极之间，所述裸芯片二极管D1的阴极连接与电阻R11和电容C1，所述电容C1并联连接与电阻R11。

4.根据权利要求1所述的一种基于裸芯片的GaN功放管偏置保护电路，其特征在于：所述时序电路包括有R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18，第一高速比较器裸芯片和第二高速比较器裸芯片，电容C2、C3、C4，第一、第二高速比较器裸芯片有6个引脚，分别是Vout、V+、IN-、IN+、V-和NC，V-和NC脚接地，V+脚接5V电源，所述电阻R12一端连接在P沟道MOSFET裸芯片的漏极上，另一端分别连接有电阻R13和第一高速比较器裸芯片IN+脚上，所述第一高速比较器裸芯片的IN-脚上还分别连接有电阻R14和电阻R15，所述电阻R16一端连接与电阻R15和第二高速比较器裸芯片的IN-脚，另一端连接两个高速比较器裸芯片的V+脚，所述电阻R17连接与第一高速比较器裸芯片的V+和Vout脚之间，所述电阻R18连接与第二高速比较器裸芯片的V+和Vout脚之间，所述电容C2和电阻R13并联连接与第二高速比较器裸芯片的IN+和V-引脚之间，所述电容C3、C4并联连接，一端连接与两个高速比较器裸芯片的V+引脚上，另一端接地。

5.根据权利要求4所述的一种基于裸芯片的GaN功放管偏置保护电路，其特征在于：所述第一高速比较器裸芯片和第二高速比较器裸芯片的输出信号分别为KD和KG。