[实用新型]一种减反射膜结构及PERC电池有效
| 申请号： | 201921417717.0 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN210692547U | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 魏青竹;倪志春;苗凤秀;连维飞;李怡洁 | 申请（专利权）人： | 苏州腾晖光伏技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 李萍 |
| 地址： | 215542 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减反射膜 结构 perc 电池 | ||
1.一种减反射膜结构，其特征在于：包括依次层叠的第一减反射层、第二减反射层及第三减反射层；所述第一减反射层用于形成在硅基体上，所述第一减反射层为SiOx膜层、AlOx膜层、MgF2膜层或由AlOx膜层和MgF2膜层层叠形成的叠层结构；所述第二减反射层为SiNx膜层、SiC膜层或TiOx膜层，或为由选自SiNx膜层、SiC膜层及TiOx膜层中的至少两种层叠形成的叠层结构；所述第三减反射层为SiOxCy膜层或为由SiOxCy膜层和SiOxNy膜层层叠形成的叠层结构。
2.根据权利要求1所述的减反射膜结构，其特征在于：所述第二减反射层为由SiNx膜层、SiC膜层及TiOx膜层层叠形成的叠层结构。
3.根据权利要求1所述的减反射膜结构，其特征在于：所述第二减反射层的折射率＞所述第三减反射层的折射率＞所述第一减反射层的折射率。
4.根据权利要求3所述的减反射膜结构，其特征在于：所述第一减反射层的折射率为1.4-1.5，所述第二减反射层的折射率为2.1-2.3，所述第三减反射层的折射率为1.7-1.9。
5.根据权利要求1所述的减反射膜结构，其特征在于：所述第一减反射层的厚度为5-10nm，所述第二减反射层的厚度为50-70nm，所述第三减反射层的厚度为10-30nm。
6.根据权利要求1所述的减反射膜结构，其特征在于：所述第一减反射层为SiOx膜层，所述第二减反射层为SiNx膜层，所述第三减反射层为SiOxCy膜层；
或，所述第一减反射层为SiOx膜层，所述第二减反射层为SiNx膜层，所述第三减反射层为由SiOxCy膜层和SiOxNy层叠形成的叠层结构；
或，所述第一减反射层为SiOx膜层，所述第二减反射层为由SiNx膜层、SiC膜层及TiOx膜层层叠形成的叠层结构，所述第三减反射层为SiOxCy膜层；
或，所述第一减反射层为MgF2膜层，所述第二减反射层为SiNx膜层，所述第三减反射层为SiOxCy膜层。
7.一种PERC电池，包括硅基体，其特征在于：还包括如权利要求1-6任一项所述的减反射膜结构，其中，所述减反射膜结构的所述第一减反射层形成于所述硅基体的正面上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
