[实用新型]多晶硅电池片正电极结构有效
| 申请号： | 201921417970.6 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN210052748U | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 陈榴 | 申请（专利权）人： | 江苏格林保尔光伏有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司： | 32258 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王美华 |
| 地址： | 213161 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 主栅线 正极基片 副栅线 辅助线 本实用新型 瓦组件 断开 多晶硅电池片 正电极结构 常规组件 光电转化 光能吸收 间隔排列 设计结构 转换率 半片 防断 光伏 两段 整片 平行 断裂 垂直 印刷 预防 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅电池片正电极结构，包括正极基片(1)，所述的正极基片(1)上间距设有主栅线(2)以及垂直主栅线(2)的副栅线(3)，所述副栅线(3)间隔排列连接主栅线(2)，其特征是：所述主栅线(2)位于正极基片(1)中间位置断开为两段，相邻主栅线(2)之间设有两根与主栅线(2)平行的辅助线(4)，所述辅助线(4)连接相邻副栅线(3)。
2.如权利要求1所述的多晶硅电池片正电极结构，其特征是：所述的主栅线(2)上具有间隔排列镂空的矩形孔(5)。
3.如权利要求2所述的多晶硅电池片正电极结构，其特征是：所述的矩形孔(5)长为0.4mm.宽为0.25mm。
4.如权利要求1所述的多晶硅电池片正电极结构，其特征是：位于主栅线(2)与副栅线(3)连接处的副栅线(3)向两侧逐渐变细过渡。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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