[实用新型]一种新型批处理清洗机

说明书

本实用新型公开了一种批处理清洗机，包括制程槽，第一进酸管路和第二进酸管路，其特征在于，所述第一进酸管路和第二进酸管路平行地设置在所述制程槽的底部且分别与所述制程槽的底部平行，以使得进入所述制程槽的清洗液相向平行地流动。本实用新型的批处理清洗机通过从两侧供酸可以减少晶圆与晶圆之间的浓度梯度和温度梯度，能够增加制程槽内的清洗液的均匀性和稳定性，因此提高晶圆的良率。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种新型批处理清洗机。

背景技术

在半导体制程中，最频繁的步骤之一是晶圆的清洗，其通常是将带有二氧化硅或氮化硅的晶圆置于批处理清洗机(WET Batch)中对晶圆进行湿法清洗，其中在清洗机的制程槽中常常装盛有酸性溶液，尤其是磷酸，其被广泛地应用于去除附着于晶圆表面上的有机化合物、金属杂质或微粒等污染物。这些污染物对后续制程影响非常大，例如，金属杂质的污染会造成p-n漏电、缩短少数载流子的寿命、降低栅极氧化层的崩溃电压。微粒的附着则会影响微影工艺图案转移的真实性，甚至造成电路结构短路。因此，清洗对于晶圆制程相当重要。

图1示出了现有技术中批处理清洗机的示意图，其中，位于批处理清洗机的制程槽的底部一侧设置有一个酸液进口，并且在该进口处，酸的管路被布置成分为两路，随后，该管路延伸至制程槽的底部另一侧。由于晶圆在制程槽内的通常布置为垂直于水平面搁置，因此，这种进酸方式无法满足晶圆的清洗的均匀性，此外在批处理制程槽中一次性处理多达50片晶圆，这对制程槽内所有晶圆批处理清洗的均匀性提出了挑战。

因此，有必要提出一种新型的批处理清洗机来解决上述问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型提出了一种批处理清洗机，用于解决现有技术中批处理清洗机对晶圆的清洗的均匀性不佳的问题。

为达到上述目的，本实用新型提供了一种批处理清洗机，所述批处理清洗机包括，制程槽、第一进酸管路和第二进酸管路，其特征在于，所述第一进酸管路和第二进酸管路平行地设置在所述制程槽的底部且分别与所述制程槽的底部平行，以使得进入所述制程槽的液体相向流动。

根据一个实施方式，所述第一进酸管路和第二进酸管路的表面包含多个喷液口。

根据一个实施方式，所述第一进酸管路和第二进酸管路分别进一步设置有流量计以用于监控所述第一进酸管路和第二进酸管路的流量。

根据一个实施方式，所述第一进酸管路和第二进酸管路分别进一步设置有阀门，以用于控制所述第一进酸管路和第二进酸管路的流量。

根据一个实施方式，所述批处理清洗机进一步设置有一个或多个多个排液管和/或排液口，以用于排空所述制程槽的清洗液。

根据一个实施方式，所述批处理清洗机进一步设置有液位计和/液位传感器，以用于监控所述制程槽中清洗液的液位。

根据一个实施方式，所述批处理清洗机进一步设置有一个或多个溢流口。

本实用新型的批处理清洗机通过位于制程槽的底部的对称设置的进酸管路，通过从两侧供酸可以减少晶圆与晶圆之间的浓度梯度和温度梯度，因此能够增加制程槽内的清洗液的均匀性和稳定性，缩小降低晶圆之间的蚀刻率的差，从而提高晶圆表面的清洗效果，并提高了晶圆的一致性，提高晶圆的良率。

附图说明

图1为现有技术批处理清洗机的结构示意图；

图2为本实用新型批处理清洗机的结构示意图；

具体实施方式