[实用新型]半导体激光器的封装结构及叠阵结构

权利要求书

1.一种半导体激光器的封装结构，其特征在于，包括：

半导体激光芯片、导电衬底、补强片；

所述半导体激光芯片的两个键合面各与一个所述导电衬底平行且键合；

所述补强片固定于所述导电衬底的侧面，且所述补强片平行于所述半导体激光芯片与所述导电衬底的堆叠方向，其中，所述补强片的热膨胀系数大于所述半导体激光芯片和所述导电衬底组合体的膨胀系数。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器的封装结构，其特征在于，所述导电衬底为陶瓷基板，所述陶瓷基板上设有多个导电通孔，每个所述导电通孔的两端分别与所述陶瓷基板上覆设的金属层电连接；

或者，所述导电衬底为金属基板，所述金属基板与所述补强片之间设有绝缘层。

3.根据权利要求2所述的半导体激光器的封装结构，其特征在于，所述补强片上设有金属焊料，所述金属焊料用于与所述陶瓷基板上的所述金属层焊接。

4.根据权利要求3所述的半导体激光器的封装结构，其特征在于，所述补强片上的金属焊料为：熔点小于或等于预设熔点的硬焊料，所述预设熔点为所述半导体激光芯片的封装焊料的熔点。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器的封装结构，其特征在于，所述补强片为两个；

两个所述补强片对称设置于所述导电衬底相对的两个侧面。

6.根据权利要求1-5任一项所述的半导体激光器的封装结构，其特征在于，所述补强片沿出光方向的尺寸大于或等于所述半导体激光芯片的腔长，且大于或等于所述导电衬底沿出光方向的尺寸。

7.根据权利要求6所述的半导体激光器的封装结构，其特征在于，所述补强片的材料包括金属、陶瓷或金属复合材料中的至少一种。

8.一种半导体激光器的叠阵结构，其特征在于，包括至少两个如权利要求1-7任一项所述的半导体激光器的封装结构；

至少两个所述半导体激光器的封装结构中的半导体激光芯片与所述导电衬底间隔设置，并沿所述半导体激光芯片与所述导电衬底键合面的垂直方向堆叠排列；

所述补强片平行于所述堆叠排列的方向且设置于所述导电衬底相对的两个侧面。

9.根据权利要求8所述的半导体激光器的叠阵结构，其特征在于，所述补强片沿所述半导体激光芯片和所述导电衬底堆叠方向上的长度大于或等于相距最远的两个导电衬底之间的距离。

10.根据权利要求8所述的半导体激光器的叠阵结构，其特征在于，还包括：热沉；

所述半导体激光芯片和所述导电衬底沿所述半导体激光芯片的出光方向垂直设于所述热沉上。