[实用新型]封装结构、图像采集模组以及智能手机终端有效
申请号: | 201921421942.1 | 申请日: | 2019-08-29 |
公开(公告)号: | CN210224034U | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 崔中秋;刘路路;沈志杰;王威;姜迪;王腾 | 申请(专利权)人: | 苏州多感科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 215331 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 图像 采集 模组 以及 智能手机 终端 | ||
本实用新型实施例公开了一种封装结构、图像采集模组以及智能手机终端,该封装结构包括:功能芯片,功能芯片的第一表面包括至少一个第一焊盘;形成在功能芯片第一表面上的第一粘结层,第一粘结层露出第一焊盘;形成在第一粘结层上的盖板;形成在功能芯片上方的印刷电路板,印刷电路板的第二表面包括至少一个第二焊盘,功能芯片第一表面上的第一焊盘与印刷电路板第一表面上的至少一个第二焊盘电连接,第二焊盘的数量与第一焊盘的数量相同,且一一对应。本实用新型实施例中的技术方案减小了封装结构在垂直于功能芯片第一表面方向的厚度,即减少了封装结构的整体厚度,解决了现有技术中智能手机等移动终端内部空间日益紧张的技术问题。
技术领域
本实用新型实施例涉及半导体技术领域,尤其涉及一种封装结构、图像采集模组以及智能手机终端。
背景技术
随着科学技术的发展,手机里面各种应用越来越多,智能手机等移动终端内部的集成度越来越高。
目前,智能手机等移动终端内部空间日益紧张,影响了其集成度的提高。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型实施例提供了一种封装结构、图像采集模组以及智能手机终端,来解决现有技术中智能手机等移动终端内部空间日益紧张的技术问题。
第一方面,本实用新型实施例提供了一种封装结构,其特征在在于,包括:
功能芯片,所述功能芯片的第一表面包括至少一个第一焊盘;
形成在所述功能芯片第一表面上的第一粘结层,所述第一粘结层露出所述第一焊盘;
形成在所述第一粘结层上的盖板;
形成在所述功能芯片上方的印刷电路板,所述印刷电路板的第二表面包括至少一个第二焊盘,所述功能芯片第一表面上的第一焊盘与所述印刷电路板第一表面上的至少一个第二焊盘电连接,所述第二焊盘的数量与所述第一焊盘的数量相同,且一一对应。
可选的,还包括形成所述第一焊盘上的第二粘结层;
所述第二焊盘与所述第二粘结层直接接触,所述第二粘结层为导电粘结层。
可选的,所述盖板包括远离所述第一粘结层的第三表面,邻近所述第一粘结层的第四表面,以及连接所述第三表面和所述第四表面的至少一个侧面,所述第三表面与所述第四表面平行设置,所述盖板紧邻所述印刷电路板的侧面与所述第四表面之间的夹角为锐角,所述第四表面露出所述第一焊盘。
可选的,所述第二粘结层为异方性导电胶膜。
可选的,所述第一粘结层和所述盖板的厚度之和大于所述印刷电路板的厚度。
可选的,所述第一粘结层为绝缘粘结层。
可选的,所述印刷电路板为柔性印刷电路板。
第二方面,本实用新型实施例提供了一种图像采集模组,包括:
图像传感芯片,所述图像传感包括第一方面任意所述的功能芯片,形成在包括第一方面任意所述的封装结构内;镜头,形成在所述封装结构包括的盖板的上方。
第三方面,本实用新型实施例提供了一种智能手机终端,包括第二方面任意所述的图像采集模组。
本实用新型实施例提供了一种封装结构,将与功能芯片第一表面的第一焊盘电连接的印刷电路板形成在功能芯片的周围,印刷电路板第二表面的第二焊盘与第一焊盘电连接,而不是像现有技术中,印刷电路板形成在功能芯片的下方或者与功能芯片同层设,还需要支撑板来支撑,相比现有技术中的封装结构,本实用新型实施例中的技术方案无需支撑板来支撑印刷电路板,减小了封装结构在垂直于功能芯片第一表面方向的厚度,即减少了封装结构的整体厚度,解决了现有技术中智能手机等移动终端内部空间日益紧张的技术问题,提高了内部器件的集成度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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