[实用新型]下电复位电路及电源装置

权利要求书

1.一种下电复位电路，其特征在于，包括：

电压检测模块；所述电压检测模块用于检测线性稳压器的输入电压，在所述输入电压小于预设电压阈值时，输出复位信号；

锁存模块；所述锁存模块用于锁存所述复位信号；

半导体开关管；所述半导体开关管的受控端用于接入所述复位信号，所述半导体开关管的第一开关端用于接入所述线性稳压器的输出电压，所述半导体开关管的第二开关端用于连接公共端；所述半导体开关管用于在所述半导体开关管的受控端接入复位信号时，导通所述半导体开关管的第一开关端和第二开关端。

2.根据权利要求1所述的下电复位电路，其特征在于，还包括：

电压域转换模块；所述电压域转换模块用于将所述复位信号转换为所述输出电压。

3.根据权利要求1所述的下电复位电路，其特征在于，所述电压检测模块包括：

电平判断单元；所述电平判断单元用于检测所述输入电压，在所述输入电压小于预设电压阈值时输出第一开关信号，在所述输入电压大于预设电压阈值时输出第二开关信号；

分压单元；所述分压单元一端用于接入所述输入电压；

受控开关；所述受控开关的第一开关端连接所述分压单元的另一端，所述受控开关的第二开关端用于连接公共端；所述受控开关用于在接收到所述第一开关信号时导通所述受控开关的第一开关端和第二开关端，否则断开所述受控开关的第一开关端和第二开关端；

非门单元；所述非门单元的输入端连接所述受控开关的第一开关端，所述非门单元的输出端用于输出所述复位信号。

4.根据权利要求3所述的下电复位电路，其特征在于，所述电平判断单元包括：

第一PMOS管；所述第一PMOS管的源极用于接入所述输入电压，所述第一PMOS管的栅极连接所述第一PMOS管的漏极；

第二PMOS管；所述第二PMOS管的源极连接所述第一PMOS管的漏极，所述第二PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的漏极，所述第二PMOS管的漏极用于输出第一开关信号或第二开关信号；

第三PMOS管；所述第三PMOS管的源极连接所述第二PMOS管的漏极，所述第三PMOS管的栅极连接所述第三PMOS管的漏极，所述第三PMOS管的漏极用于连接公共端。

5.根据权利要求3所述的下电复位电路，其特征在于，所述受控开关包括：

第一NMOS管；所述第一NMOS管的漏极连接所述分压单元的另一端，所述第一NMOS管的源极用于连接公共端；所述第一NMOS管的栅极用于接收所述第一开关信号或第二开关信号。

6.根据权利要求3所述的下电复位电路，其特征在于，所述非门单元包括斯密特触发器。

7.根据权利要求2所述的下电复位电路，其特征在于，所述电压域转换模块包括：

第四PMOS管；所述第四PMOS管的源极用于接入所述输入电压，所述第四PMOS管的栅极用于接入所述复位信号；

第五PMOS管；所述第五PMOS管的源极用于接入所述输出电压，所述第五PMOS管的栅极连接所述第四PMOS管的漏极；

第六PMOS管；所述第六PMOS管的源极用于接入所述输出电压，所述第六PMOS管的栅极连接所述第五PMOS管的漏极，所述第六PMOS管的漏极连接所述半导体开关管的受控端；

第二NMOS管；所述第二NMOS管的栅极连接所述第四PMOS管的栅极，所述第二NMOS管的漏极连接所述第四PMOS管的漏极，所述第二NMOS管的源极用于连接公共端；

第三NMOS管；所述第三NMOS管的栅极连接所述第五PMOS管的栅极，所述第三NMOS管的漏极连接所述第五PMOS管的漏极，所述第三NMOS管的源极用于连接公共端；

第四NMOS管；所述第四NMOS管的栅极连接所述第六PMOS管的栅极，所述第四NMOS管的漏极连接所述第六PMOS管的漏极，所述第四NMOS管的源极用于连接公共端。