[实用新型]蚀刻基板边沿压紧框架

说明书

本实用新型公开了一种蚀刻基板边沿压紧框架，包括呈环状结构的本体，本体中心形成露出孔，本体包括从外至内依次设置的平衡部、支撑部和遮蔽部，平衡部、支撑部和遮蔽部的上表面齐平，厚度分别为h1、h2和h3，且h1＞h2＞h3，其中支撑部的下表面具有向下凸出的支撑凸点，所述支撑凸点的厚度为h4，且h1≥h2+h4；所述遮蔽部端部具有沿其长度方向向外延伸的接触部，所述接触部上表面与遮蔽部上表面齐平，接触部的厚度为h5，且h2＞h5＞h3，所述接触部远离露出孔的一端与遮蔽部之间具有弧形倒角。有利于提高框架在底座上的稳定性，同时防止蚀刻气体侵入对框架和基板边沿破坏，大大延长框架的使用寿命，并提高基板成品品质。

技术领域

本实用新型涉及半导体玻璃基板的处理设备领域，具体涉及一种蚀刻基板边沿压紧框架。

背景技术

化学气相沉积是半导体制造的主要方法之一，在其制造过程中，主要涉及到蚀刻腔、底座以及遮蔽框架等部件，其中底座主要用于承载玻璃基板并对其进行均匀加热，而遮蔽框架主要放置于玻璃基板上方，并对玻璃基板的边沿进行覆盖压紧，在蚀刻成膜工艺进行过程中保护该部位的玻璃基板不被处理，在工艺进行过程中，经常因为框架与玻璃基板的接触面积过小，或设备运转抖动等其他因素，导致沉积所用的等离子气体极易侵入框架与玻璃基板的缝隙之中，使得框架对应部位发生焦糊现象，缩短框架使用寿命，同时焦糊产生的粉尘掉落至玻璃基板上，也大大降低了玻璃基板成品的品质。

实用新型内容

为解决上述问题，本实用新型提供了一种蚀刻基板边沿压紧框架，有效防止等离子气体侵入框架与玻璃基板的缝隙，延长框架使用寿命，提高玻璃基板成品质量。

为实现上述目的，本实用新型技术方案如下：

一种蚀刻基板边沿压紧框架，包括呈环状结构的本体，所述本体中心形成露出孔，其关键在于：所述本体包括从外至内依次设置的平衡部、支撑部和遮蔽部，所述平衡部、支撑部和遮蔽部的上表面齐平，厚度分别为h1、h2和h3，且h1＞h2＞h3，其中支撑部的下表面具有向下凸出的支撑凸点，所述支撑凸点的厚度为h4，且h1≥h2+h4；

所述遮蔽部端部具有沿其长度方向向外延伸的接触部，所述接触部上表面与遮蔽部上表面齐平，接触部的厚度为h5，且h2＞h5＞h3，所述接触部远离露出孔的一端与遮蔽部之间具有弧形倒角。

采用以上结构，蚀刻过程中通过接触部与玻璃基板边沿接触，从而防止等离子气体侵入遮蔽部，对该部位的框架造成破坏，导致焦糊并产生粉尘，有利于提高基板成品质量，同时弧形倒角A可有效减少阳极氧化涂层在该位置处的尖锐度，提高该位置的光滑度，即涂层的均匀度，有利于保证其绝缘效果，防止焦糊，此外通过支撑凸点与底座接触支撑，可尽量减少框架与底座的接触面积，即降低氧化涂层被损坏风险，有利于延长框架的使用寿命。

作为优选：所述支撑部下表面具有安装沉槽，所述安装沉槽下部敞口，并配置有与其相适应的陶瓷定位块，所述陶瓷定位块具有敞口朝下的定位槽。采用以上方案，在使用时，通过定位槽与底座上的定位头配合，有利于提高框架的稳定性，弱化振动影响，且陶瓷定位块采用陶瓷材料制成，有利于保证其绝缘效果。

作为优选：所述安装沉槽底部具有朝露出孔所在一侧水平延伸的限位部，所述陶瓷定位块前端具有与所述限位部相适配的嵌入部，所述陶瓷定位块尾端与安装沉槽之间具有间隙，该间隙内嵌设有压紧块；

所述压紧块两侧分别与陶瓷定位块端面和安装沉槽内壁抵接，所述陶瓷定位块尾端具有向外水平延伸的压紧部，所述压紧块上具有所述压紧部配合的压紧凹槽，所述本体上对应安装沉槽的位置设有螺孔A，所述螺孔A与安装沉槽贯通，所述压紧块上正对螺孔A的位置设有螺孔B。采用以上方案，通过压紧块压紧的方式，实现陶瓷定位块的可拆卸安装及固定，以及嵌入部与限位部的配合，大大提高陶瓷定位块相对框架的稳定性。