[实用新型]DRAM存储器有效
| 申请号： | 201921432282.7 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN210272310U | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 李宁 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | dram 存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种DRAM存储器，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底上形成有若干分立的有源区，所述有源区之间通过隔离层隔离；
位于所述有源区和隔离层中的字线沟槽，位于所述隔离层中的那一部分字线沟槽的宽度大于位于所述有源区中那一部分字线沟槽的宽度；
位于所述字线沟槽中的字线结构，位于所述隔离层中的那一部分字线结构的宽度大于位于所述有源区中那一部分字线结构的宽度。
2.如权利要求1所述的DRAM存储器，其特征在于，位于所述隔离层中的那一部分字线沟槽的宽度大于位于所述有源区中那一部分字线沟槽的宽度的值为10nm-15nm。
3.如权利要求1所述的DRAM存储器，其特征在于，所述有源区的材料为硅，所述隔离区的材料为氧化硅。
4.如权利要求1所述的DRAM存储器，其特征在于，所述字线结构包括位于字线沟槽侧壁和底部的栅氧化层和位于所述栅氧化层上填充所述字线沟槽的金属电极。
5.如权利要求1所述的DRAM存储器，其特征在于，每一个有源区中具有两个分立的字线沟槽，所述两个字线沟槽将每个有源区分成位于中间的漏极和分别位于所述漏极两侧的两个源极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
