[实用新型]一种高速光电探测器

权利要求书

1.一种高速光电探测器，其特征在于，所述光电探测器外延结构从下至上依次包括：衬底、InP缓冲层、N⁺-InGaAs接触层、N型InP、InGaAsP带隙过渡层、InGaAs本征吸收层、P型掺杂渐变InGaAs光窗层，其中：

所述P型掺杂渐变InGaAs光窗层中掺杂InGaAs材料的浓度逐渐改变，在所述N型InP层经所述N⁺-InGaAs接触层引出N型欧姆电极，在所述P型掺杂渐变InGaAs光窗层引出P型欧姆电极。

2.根据权利要求1所述高速光电探测器，其特征在于，所述P型掺杂渐变InGaAs光窗层的上表面覆盖一层增透膜，所述增透膜为SiN_x单层膜或SiO₂/SiN_x复合膜。

3.根据权利要求1所述高速光电探测器，其特征在于，所述P型掺杂渐变InGaAs光窗层中掺杂InGaAs材料的浓度由2e¹⁷cm^-3增加至2e¹⁹cm^-3。

4.根据权利要求1所述高速光电探测器，其特征在于，所述衬底为掺杂Fe的InP材料，所述衬底的厚度范围为330μm-370μm。

5.根据权利要求1所述高速光电探测器，其特征在于，所述InP缓冲层的材料为i-InP，所述InP缓冲层的厚度范围为0.1μm-0.5μm，i-InP的浓度小于10¹⁵cm^-3。

6.根据权利要求1所述高速光电探测器，其特征在于，所述N⁺-InGaAs接触层的厚度范围为0.5μm-1.5μm，浓度范围为10¹⁸cm^-3～10¹⁹cm^-3。

7.根据权利要求1所述高速光电探测器，其特征在于，所述N型InP层为电流扩展层，材料厚度范围为0.2μm-0.5μm，掺杂浓度范围为10¹⁷cm^-3～10¹⁹cm^-3。

8.根据权利要求1所述高速光电探测器，其特征在于，所述InGaAsP带隙过渡层的厚度范围为20nm-50nm，浓度小于10¹⁵cm^-3。

9.根据权利要求1所述高速光电探测器，其特征在于，所述InGaAs本征吸收层的厚度范围为1.0μm-3.5μm，浓度小于10¹⁵cm^-3。