[实用新型]钙钛矿与N型硅基背接触电池叠加电池结构有效
| 申请号： | 201921436971.5 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN210628311U | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 张敏;刘飞;何凤琴;王冬冬;张志郢;常纪鹏 | 申请（专利权）人： | 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 |
| 主分类号： | H01L27/28 | 分类号： | H01L27/28;H01L31/0352;H01L31/068;H01L51/42;H01L31/18;H01L21/228;H01L21/268;H01L51/48 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 翁若莹;王文颖 |
| 地址： | 810000 青*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 型硅基背 接触 电池 叠加 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种钙钛矿与N型硅基背接触电池叠加电池结构，其特征在于，依次包括：钙钛矿材料吸收层(1)、正面透明导电膜沉积层(2)、正面钝化层(3)、前表面场(4)、N型单晶硅片衬底(5)及背面钝化层(8)，N型单晶硅片衬底(5)与背面钝化层(8)之间设有相互独立的背面P+掺杂层(6)和背面N+掺杂层(7)，两个金属电极(9)分别与背面P+掺杂层(6)、背面N+掺杂层(7)连接，且从背面钝化层(8)表面露出。
2.如权利要求1所述的钙钛矿与N型硅基背接触电池叠加电池结构，其特征在于，所述正面钝化层(3)和背面钝化层(8)均为SiO2层；正面透明导电膜沉积层(2)为ITO导电膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
