[实用新型]一种去除超高纯正硅酸乙酯钢瓶中固体颗粒的装置

说明书

本实用新型公开了一种去除超高纯正硅酸乙酯钢瓶中固体颗粒的装置。与现有技术相比，本实用新型采用双回路过滤，可同时处理两个钢瓶，提高了钢瓶的处理效率，以反复过滤取代大量高纯水清洗，不产生废液，也无需再对钢瓶进行除水处理，减少了钢瓶的处理时间且用量少，装置结构设计合理，操作简单，可以严格控制金属杂质含量在可接受范围之内，同时还可进一步设置有尾气吸附柱，解决了尾气排放环境污染的问题。

技术领域

本实用新型涉及超高纯正硅酸乙酯技术领域，特别涉及一种去除超高纯正硅酸乙酯钢瓶中固体颗粒的装置。

背景技术

随着半导体行业的发展，其对制程的主要工艺离子注入、扩散、外延生长及光刻提出了更高的要求；半导体制程工艺中的关键尺寸越来越小，据最新报道已经达到3nm；集成电路内各元件及连线相当细微，因此在制程过程中，如果遭到固体颗粒如尘粒，金属颗粒的污染，很容易导致晶片内电路功能的损坏，形成短路或者断路，使得集成电路的失效及影响几何特征的形成。因此在制程过程中需要有效的去除固体颗粒的污染。

目前超高纯正硅酸乙酯主要应用于集成电路低压化学气相淀积工艺(LPCVD)，正硅酸乙酯从液态蒸发成气态，在700～750℃、300mTOR压力下分解在硅片表面淀积生成二氧化硅薄膜，在一定程度上克服了SiC氧化层过薄和等离子增强化学气相沉积法(PECVD)二氧化硅层过于疏松的弊端，保证了氧化层介质的致密性及其与SiC晶片的粘附能力，提高了器件的电性能和成品率，且避免了为获得一定厚度氧化层长时间高温氧化的不足，因此电子级正硅酸乙酯在集成电路行业的需求不断提高。

如果正硅酸乙酯中的固体颗粒超标，将严重影响硅片中电路内各元器件的性能甚至损坏电路，使得芯片报废。因此，需要正硅酸乙酯在使用前将固体颗粒去除掉，满足制程要求。而储存和运输大量的正硅酸乙酯是通过钢瓶进行的。这对于包装物钢瓶的洁净程度要求极高，而对于新购置的钢瓶和污染后的钢瓶，其中的固体颗粒杂质超标，不能直接用于超高纯正硅酸乙酯的充装，需要对钢瓶进行处理，确保钢瓶中的固体颗粒杂质含量在可接受的范围之内。

目前钢瓶处理主要集中在气体钢瓶上，尤其是气体钢瓶中水分的含量。通常使用加热、高纯氦气置换、抽真空的方法处理永久性气体钢瓶、高压液化气体钢瓶和低压液化气体钢瓶中的水分，但需要加热消耗能量，使用价格高及稀缺的高纯氦气作为置换用气增加成本，并且对湿化学品钢瓶中固体颗粒去除的技术较少，尤其对于电子级湿化学品钢瓶中固体颗粒的去除技术更少。现在有报道采用超纯水清洗，但单使用超纯水清洗需要超纯水制备装置，清洗完后还需要除去钢瓶中的水分，工艺复杂，处理周期长。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题为提供一种去除超高纯正硅酸乙酯钢瓶中固体颗粒的装置，该装置操作简单，工艺合理可严格控制固体颗粒杂质含量在可接受范围之内，同时也解决了尾气排放环境污染问题。

本实用新型提供了一种去除超高纯正硅酸乙酯钢瓶中固体颗粒的装置，包括：

第一过滤器、第二过滤器、高纯氮气钢瓶、超高纯正硅酸乙酯钢瓶、第一待处理钢瓶、第二待处理钢瓶与真空泵；

所述超高纯正硅酸乙酯钢瓶中设置有超高纯正硅酸乙酯；

所述第一待处理钢瓶包括气相阀门与液相阀门；所述第二待处理钢瓶包括气相阀门与液相阀门；

所述超高纯正硅酸乙酯钢瓶与第一待处理钢瓶的液相阀门相连通；

所述第一待处理钢瓶与第二待处理钢瓶通过第一过滤器及第二过滤器相连通；所述第一过滤器与第二过滤器为并联；

所述高纯氮气钢瓶与第一待处理钢瓶的气体阀门及第二待处理钢瓶的气体阀门相连通；

所述真空泵与第一待处理钢瓶的气体阀门及第二待处理钢瓶的气体阀门相连通。

优选的，还包括尾气吸附柱；所述尾气吸附柱与所述真空泵相连通。