[实用新型]一种一低两高多端口基站天线

权利要求书

1.一种一低两高多端口基站天线，包括底板（1），所述底板（1）的两侧分别设有反射板一（21）和反射板二（22），其特征在于：所述底板（1）上设有彼此平行或重叠的低频辐射天线阵列、高频辐射天线阵列一和高频辐射天线阵列二，所述低频辐射天线阵列包括若干个低频振子（3），所述高频辐射天线阵列一包括若干个高频振子一（4），所述高频辐射天线阵列二包括若干个高频振子二（5）；所述低频振子（3）和高频振子一（4）阵列成一条直线，等距分布在底板（1）上，靠近反射板一（21），部分所述高频振子一（4）嵌入低频振子（3）；所述高频振子二（5）阵列成一条直线，等距分布在底板（1）上，靠近反射板二（22）。

2.如权利要求1所述的一低两高多端口基站天线，其特征在于：所述低频辐射天线阵列包括4-11个低频振子（3），所述高频辐射天线阵列一包括5-13个高频振子一（4），所述高频辐射天线阵列二包括5-13个高频振子二（5）。

3.如权利要求2所述的一低两高多端口基站天线，其特征在于：所述高频辐射天线阵列一的中心频率为f2，所述高频振子一（4）对应的反射板一（21）的反射面的长度为d1，高度为h1；所述d1为f2的0.7-1.2倍波长，所述h1为f2的0.13-0.2倍波长。

4.如权利要求3所述的一低两高多端口基站天线，其特征在于：所述低频辐射天线阵列的中心频率为f1，所述高频辐射天线阵列二的中心频率为f3；所述低频振子（3）对应的反射板一（21）的反射面的长度为d2，高度为h1+15mm；所述d2为f1的0.5-0.8倍波长；所述反射板二（22）的长度为d3，高度为h2，所述d3大于等于高频辐射天线阵列二的长度，所述h2为f3的0.13-0.2倍波长。

5.如权利要求4所述的一低两高多端口基站天线，其特征在于：所述高频振子一（4）的两侧还设有反射板三（23），所述反射板三（23）到高频振子一（4）的距离为d4，所述d4为f2的0.2-0.5倍波长；所述反射板三（23）的长度为d5，高度为h3，所述d5为f2的0.7-1.1倍波长，所述h3为f2的0.13-0.2倍波长。

6.如权利要求5所述的一低两高多端口基站天线，其特征在于：所述高频辐射天线阵列二在远离反射板二（22）的一侧还设有反射板四（24），所述反射板四（24）到高频辐射天线阵列二的距离为d6，所述d6为f3的0.2-0.5倍波长；所述反射板四（24）的长度为d7，高度为h4，所述d7大于等于高频辐射天线阵列二的长度，所述h4为f3的0.13-0.2倍波长。

7.如权利要求6所述的一低两高多端口基站天线，其特征在于：所述反射板二（22）的长度等于底板（1）的长度，所述底板（1）的宽度为d8，所述d8为f1的0.5-0.8倍波长与f3的0.7-1.2倍波长之和。

8.如权利要求7所述的一低两高多端口基站天线，其特征在于：所述相邻两个低频振子（3）的中心之间的距离为X，所述X为f1的0.8~1.1倍波长；所述相邻两个高频振子一（4）的中心之间的距离为Y，所述Y为f2的0.7~1.1倍波长；所述相邻两个高频振子二（5）的中心之间的距离为Z，所述Z为f3的0.7~1.1倍波长；所述高频振子一（4）的中心到高频振子二（5）的中心之间的垂直距离为L，所述L为f2的0.7-1.1倍波长。

9.如权利要求1-7任一项所述的一低两高多端口基站天线，其特征在于：所述低频振子（3）为低频超宽频“碗状”形式的振子；所述高频振子一（4）和高频振子二（5）均为高频段超宽频“半波”形式的振子。

10.如权利要求9所述的一低两高多端口基站天线，其特征在于：所述低频振子（3）、高频振子一（4）和高频振子二（5）均为铝合金压铸振子。