[实用新型]一种大尺寸芯片的分层隔离封装结构

说明书

本实用新型涉及一种大尺寸芯片的分层隔离封装结构，通过多次包封、削减、电镀等工艺流程，形成具有芯片、金属凸块、第三塑封体、导电金属、第一铜垫、第二铜垫、导电铜柱、外引脚和重布线层的分层隔离封装结构，能够有效避免大尺寸的芯片背面上的第一铜垫与外引脚接触造成短路的现象发生，突破了传统封装中框架结构的限制，做到相同封装尺寸内放置较大的芯片，采用设置导电铜柱和第三塑封体的隔离，不会出现短路现象发生，在有限的封装尺寸内，能够最大化利用有效空间以扩大芯片的尺寸，达到产品性能的最优化，使封装产品可靠性提高，次品率大大降低，提高工作效率的同时，大大节约了生产成本。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种大尺寸芯片的分层隔离封装结构。

背景技术

随着电子产品的发展，半导体科技已广泛应用于制造内存、中央处理器（CPU）、液晶显示装置（LCD）、发光二极管（LED）、激光二极管以及其他装置或芯片组等。

由于半导体组件、微电机组件（MEMS）或光电组件等电子组件具有微笑精细的电路及构造，因此，为避免粉尘、酸碱物质、湿气和氧气等污染或侵蚀电子组件，进而影响其可靠度及寿命，工艺上需要通过封装技术来提供上述电子组件的有关电能创术、信号传输、热量散失，以及保护与支持等功能。

半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片（Die），然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板（引线框架）架的小岛上，再利用超细的金属（金锡铜铝）导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘（Bond Pad）连接到基板的相应引脚（Lead）,并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护，塑封之后还要进行一系列操作，封装完成后进行成品测试，通常经过入检Incoming、测试Test和包装Packing等工序，最后入库出货。

对于IC封装行业，需要在小的封装尺寸内封装更大的芯片以满足相应的大功率的性能需求。但由于传统封装中框架结构的限制，无法做到相同封装尺寸内放置较大的芯片；而且大芯片在封装过程中，由于芯片较大，垂直方向上，芯片上铜垫的已到达外引脚的位置与外引脚必然接触短路，给封装工艺带来很大的麻烦，而且次品率大大增加，要么需要增加其他辅助设施避免短路，但是会造成工艺流程繁琐，降低工作效率，提高了生产成本。

实用新型内容

本实用新型正是针对现有技术存在的不足，提供了一种大尺寸芯片的分层隔离封装结构。

为解决上述问题，本实用新型所采取的技术方案如下：

一种大尺寸芯片的分层隔离封装结构，包括芯片、金属凸块、第三塑封体、导电金属、第一铜垫、第二铜垫、导电铜柱、外引脚和重布线层，所述芯片、金属凸块、导电金属、第一铜垫、第二铜垫、导电铜柱和重布线层均设与所述第三塑封体的内部，所述外引脚设于所述第三塑封体的外部，所述金属凸块与所述芯片的正面电联接，所述第一铜垫与所述芯片的背面电联接，且第一铜垫覆盖整个芯片的背面，所述金属凸块与所述重布线层的一端连接，重布线层另一端通过导电金属与所述第二铜垫连接，所述导电铜柱分别与所述第一铜垫、第二铜垫电连接，所述外引脚分别与导电铜柱电联接。

进一步的，所述第一铜垫和第二铜垫之间相互不接触，且处于同一水平面上，并且厚度相同。

进一步的，所述重布线层与所述第一铜垫相互平行，所述导电金属处于所述第二铜垫与重布线层之间，且导电金属的两端分别与第二铜垫和重布线层相互垂直连接。

进一步的，所述导电铜柱上的分别与所述外引脚连接的一面，均处于并裸露在所述第三塑封体上的远离芯片正面的一侧的外表面上，并且分别与所述外引脚连接，且外引脚均紧贴在所述第三塑封体的外表面上，外引脚分别将导电铜柱裸露在第三塑封体外表面的部分全部覆盖。

进一步的，所述金属凸块通过焊接、直接电镀或者化镀的方式与芯片的正面连接固定。