[实用新型]电子器件和半导体封装

说明书

本实用新型涉及电子器件和半导体封装。例如，一种器件，包括支持件、覆盖支持件的导电层、位于导电层上的半导体衬底和绝缘壳体。

技术领域

本公开涉及电子器件，并且更具体地，涉及包括容纳在封装中的电子芯片的电子器件。

背景技术

电子芯片通常由半导体衬底来限定，半导体衬底的内部和顶表面处定位有一个或多个互连部件(诸如晶体管)，用于形成芯片的电路。在特定应用(诸如静电放电保护)中，芯片包括雪崩二极管。

通常地，芯片被容纳在封装中。封装包括连接端子，通常用于焊接或锡焊至诸如PCB(“印刷电路板”)的印刷电路。对于包括紧凑地容纳在封装中的电子芯片的器件，通常使用CSP型封装(“芯片级封装”)，也就是说，该封装占据较小的表面积，通常小于芯片衬底的1.2倍。

实用新型内容

一个或多个实施例的目的在于一种器件，其包括支持件、覆盖支持件的导电层、位于导电层上的半导体衬底或芯片以及绝缘壳体。

根据一个实施例，该器件包括位于衬底内和衬底顶部上的电子部件。

根据一个实施例，导电层是金属。

根据一个实施例，衬底包括限定雪崩二极管的电极的掺杂区域。

根据一个实施例，壳体限定CSP型封装。

一个实施例提供了一种形成上述限定的器件的方法。

根据一个实施例，该方法包括同时形成多个上述限定的器件的步骤。

根据一个实施例，器件的衬底是同一半导体晶圆的部分。

根据一个实施例，该方法包括在半导体晶圆的后表面上形成导电层的步骤。

根据一个实施例，该方法包括在导电层的后表面侧上布置支持板的步骤。

根据一个实施例，该方法包括形成界定衬底的沟槽的步骤，沟槽优选达到位于支持板中的水平。

本公开提供了一种电子器件，包括：支持件；导电层，覆盖支持件；半导体芯片，位于导电层上，其中半导体芯片具有约150微米以下的厚度；以及绝缘壳体。

在某些实施例中，半导体芯片包括集成电子部件的有源表面。

在某些实施例中，导电层是金属。

在某些实施例中，半导体芯片包括限定雪崩二极管的电极的掺杂区域。

在某些实施例中，绝缘壳体限定CSP型封装。

在某些实施例中，半导体芯片的厚度小于100微米。

在某些实施例中，支持件、半导体芯片和导电层在二维中具有彼此相同的尺寸和形状。

在某些实施例中，支持件、半导体芯片和导电层形成平行六面体形状的叠层。

本公开还提供了一种半导体封装，包括：支持件；半导体芯片，位于支持件上；导电层，位于半导体芯片和支持件之间，支持件、半导体芯片和导电层具有彼此共面的侧表面；以及绝缘材料，位于共面的侧表面上。

在某些实施例中，半导体芯片具有约150微米以下的厚度。

在某些实施例中，半导体芯片包括限定雪崩二极管的电极的掺杂区域。

在某些实施例中，导电层是金属材料。

在某些实施例中，绝缘材料覆盖支持件的底表面。

在某些实施例中，除了半导体芯片的多个端子，绝缘材料覆盖半导体芯片的有源表面。

附图说明