[实用新型]用于碳化硅外延生长的石墨基座有效
| 申请号： | 201921447188.9 | 申请日： | 2019-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN210506587U | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 杨龙;赵丽霞;吴会旺;李伟峰;陈秉克 | 申请（专利权）人： | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12;C30B29/36 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 田甜 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 碳化硅 外延 生长 石墨 基座 | ||
1.用于碳化硅外延生长的石墨基座，其特征在于，包括：
基座本体，顶部设有开口朝上、用于容纳碳化硅衬底并供其进行外延生长的片槽，所述片槽的侧壁上开设有连通所述片槽与所述基座本体外部空间的凹槽；所述片槽的侧壁用于与所述碳化硅衬底侧壁的弧形部相接；以及
嵌块，嵌设于所述凹槽内；所述嵌块与所述基座本体可拆卸连接；所述嵌块的内侧壁用于与所述碳化硅衬底侧壁的参考面部相接；
清理用于碳化硅外延生长的石墨基座表面碳化硅层时，将所述嵌块和所述基座本体分开清理。
2.如权利要求1所述的用于碳化硅外延生长的石墨基座，其特征在于：所述凹槽的底部设有开口朝上、与所述凹槽连通的安装槽；所述嵌块的底面上设有用于与所述安装槽插接配合的插接柱。
3.如权利要求2所述的用于碳化硅外延生长的石墨基座，其特征在于：所述安装槽和所述插接柱分别设有多个，且两者数量相等。
4.如权利要求1所述的用于碳化硅外延生长的石墨基座，其特征在于：所述嵌块的顶面、所述基座本体的顶面及片槽的底面和侧壁涂覆有保护层。
5.如权利要求1所述的用于碳化硅外延生长的石墨基座，其特征在于：所述嵌块嵌设于所述凹槽内时，所述嵌块的顶面与所述基座本体顶面齐平。
6.如权利要求1所述的用于碳化硅外延生长的石墨基座，其特征在于：所述嵌块的厚度等于所述凹槽的厚度。
7.如权利要求1-6任一项所述的用于碳化硅外延生长的石墨基座，其特征在于：所述嵌块的外侧壁上设有抬升板。
8.如权利要求7所述的用于碳化硅外延生长的石墨基座，其特征在于：所述抬升板与所述嵌块转动连接。
9.如权利要求1所述的用于碳化硅外延生长的石墨基座，其特征在于：所述基座本体与所述嵌块均由等静压石墨制成。
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