[实用新型]半导体结构、存储装置

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体层，设于一衬底基板的一侧；

所述半导体层远离所述衬底基板的表面形成有隔离沟槽，且所述隔离沟槽使得所述半导体层远离所述衬底基板的部分被分割为多个有源区，所述有源区具有一长轴方向；

第一栅极结构，至少部分设于沿所述长轴方向的两个所述有源区之间的隔离沟槽中；

第二栅极结构，设于所述有源区内；

第三栅极结构，设于所述隔离沟槽中，且连接所述第一栅极结构和所述第二栅极结构，或者连接两个所述第二栅极结构；

隔离结构，覆盖所述第一栅极结构和所述第三栅极结构以外的所述隔离沟槽，且所述隔离结构设置有气隙层；

其中，任一所述有源区在所述衬底基板上的正投影，被与该有源区相邻的所述气隙层、所述第一栅极结构和所述第三栅极结构共同在所述衬底基板上的正投影包围。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极结构的延伸方向、所述第二栅极结构的延伸方向和所述第三栅极结构的延伸方向平行。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述气隙层的厚度为2～20nm，其中，所述气隙层的厚度为所述气隙层在垂直于所述气隙层的表面的方向的尺寸。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿垂直于所述半导体层远离所述衬底基板的表面的方向，所述气隙层的尺寸为所述隔离沟槽的尺寸的0.4～0.8倍。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构包括：

第一绝缘层，覆盖所述第一栅极结构和所述第三栅极结构以外的所述隔离沟槽；

第二绝缘层，覆盖所述第一绝缘层；所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间形成有所述气隙层；

第三绝缘层，封闭所述气隙层的开口。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层为同一绝缘材料，且所述绝缘材料的介电常数小于3.5。

7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，在对应于所述隔离沟槽的底部的区域，所述第二绝缘层设置于所述第一绝缘层的表面。

8.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二绝缘层远离所述衬底基板的表面，与所述有源区远离所述衬底基板的表面齐平。

9.一种存储装置，其特征在于，包括权利要求1～8任一项所述的半导体结构。