[实用新型]灵敏放大器、存储器有效
申请号: | 201921448524.1 | 申请日: | 2019-08-30 |
公开(公告)号: | CN210156119U | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 汪瑛 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06;G11C7/08 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 灵敏 放大器 存储器 | ||
本实用新型涉及存储技术领域,提出一种灵敏放大器,该灵敏放大器包括:第一反相器、第二反相器、第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、第四开关单元、第五开关单元、第六开关单元、第七开关单元、第八开关单元。该灵敏放大器可以通过控制第五开关单元、第六开关单元、第七开关单元、第八开关单元的开启或关断,实现该灵敏放大器工作于两个不同的电源轨中,用以减小灵敏放大器在噪声消除阶段时静态工作点的偏差。
技术领域
本实用新型涉及存储技术领域,尤其涉及一种灵敏放大器、存储器。
背景技术
灵敏放大器是可以应用于存储器中的一种功能器件,在合适的时间点下开启灵敏放大器可以对存储单元中存储的微弱信号进行放大,从而使得存储单元中存储的数据可以被正确地写入或者读出。
相关技术中,灵敏放大器主要由一锁存器组成,该锁存器的两输出端分别与位线、反位线连接。考虑到灵敏放大器在放大过程中,由于器件失配引起的失配噪声,通常在该锁存器中添加降噪晶体管。
然而,由于锁存器中N型晶体管和P型晶体管的导通能力存在差异,从而造成在灵敏放大器噪声消除阶段位线和反位线的电压偏离其电源和地的中间电压,最终造成判断存储逻辑1和逻辑0阈值有差异,继而造成在读取1和0的时候,噪声容限有差异。
需要说明的是,在上述背景技术部分实用新型的信息仅用于加强对本实用新型的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种灵敏放大器、存储器。该灵敏放大器能够解决相关技术中由于N型晶体管和P型晶体管的导通能力存在差异,从而造成判断存储逻辑1和逻辑0阈值有差异,继而造成在读取1和0的时候,噪声容限有差异的技术问题。
本实用新型的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然,或部分地通过本实用新型的实践而习得。
根据本实用新型的一个方面,提供一种灵敏放大器,该灵敏放大器包括:第一反相器、第二反相器、第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、第四开关单元、第五开关单元、第六开关单元、第七开关单元、第八开关单元。第一反相器的高电平端连接第一节点,低电平端连接第二节点,输入端连接反位线;第二反相器的高电平端连接第一节点,低电平端连接第二节点,输入端连接位线;第一开关单元连接所述第一反相器的输入端、输出端以及第一控制信号端,用于响应所述第一控制信号端的信号以连通所述第一反相器的输入端和输出端;第二开关单元连接所述第二反相器的输入端、输出端以及第一控制信号端,用于响应所述第一控制信号端的信号以连通所述第二反相器的输入端和输出端;第三开关单元连接所述第一反相器的输出端、所述第二反相器的输入端以及第二控制信号端,用于响应所述第二控制信号端的信号以连通所述第一反相器的输出端和所述第二反相器的输入端;第四开关单元连接所述第二反相器的输出端、所述第一反相器的输入端以及第二控制信号端,用于响应所述第二控制信号端的信号以连通所述第二反相器的输出端和所述第一反相器的输入端;第五开关单元连接第一高电平信号端、第三控制信号端、所述第一节点,用于响应所述第三控制信号端的信号将所述第一高电平信号端的信号传输到所述第一节点;第六开关单元连接第一低电平信号端、第四控制信号端、所述第二节点,用于响应所述第四控制信号端的信号将所述第一低电平信号端的信号传输到所述第二节点;第七开关单元连接第二高电平信号端、第五控制信号端、所述第一节点,用于响应所述第五控制信号端的信号将所述第二高电平信号端的信号传输到所述第一节点;第八开关单元连接第二低电平信号端、第六控制信号端、所述第二节点,用于响应所述第六控制信号端的信号将所述第二低电平信号端的信号传输到所述第二节点;其中,所述第一高电平信号的电平大于所述第二高电平信号端的电平,所述第一低电平信号端的电平大于所述第二低电平信号端的电平;或所述第一高电平信号的电平小于所述第二高电平信号端的电平,所述第一低电平信号端的电平小于所述第二低电平信号端的电平。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司,未经长鑫存储技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921448524.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体结构、存储装置
- 下一篇:一种线缆表面检测系统