[实用新型]一种可调式翻片装置有效
申请号: | 201921453934.5 | 申请日: | 2019-09-03 |
公开(公告)号: | CN210640200U | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 张学强;戴军;张建伟;罗银兵;李圣鹤 | 申请(专利权)人: | 罗博特科智能科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 殷海霞 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 调式 装置 | ||
本实用新型公开了一种可调式翻片装置,该装置包括支架,支架上设有:转轴,转轴上套设有两翻转盘,翻转盘上沿径向间隔设置有多个用于容纳硅片的容纳槽,两翻转盘上的容纳槽配合将硅片夹持固定;驱动机构,驱动机构与转轴连接,驱动机构驱动转轴旋转,转轴可带动翻转盘将硅片从一面翻转至另一面;转轴上沿轴向设有与硅片尺寸匹配的贯通孔,硅片可通过贯通孔从转轴的一边平移至另一边;传输机构,传输机构用于将硅片传送至容纳槽内并承接翻转后的硅片,传输机构还用于通过贯通孔将硅片从转轴的一边平移至另一边。本实用新型的可调式翻片装置能够在需要翻转时能实现硅片的翻转,翻转效率高,并可在不需要翻转时保证硅片平稳通过。
技术领域
本实用新型涉及硅片加工设备技术领域,特别涉及一种可调式翻片装置。
背景技术
通常来讲,对太阳能电池硅片的工艺处理包括以下个步骤:1、制绒,将硅片表面腐蚀成金字塔状的形貌;2、扩散,硅片表面形成PN结;3、刻蚀,将硅片边缘的PN结去掉,防止电池短路;4、去PSG,清洗硅片表面,去除二氧化硅层;5、PECVD,在硅片表面镀一层减反射膜;6、印刷烧结,印刷电极及背场,并烘干烧结。
在上述工艺处理步骤中,有时需要将硅片翻转,在公开号为CN207116380U的实用新型专利中公开了一种硅片快速翻转机构,其能够对硅片实现快速翻转,而针对不同的硅片以及不同的加工方式,硅片在不同工位之间流转时,有时需要翻转有时不需要翻转,这就需要一种能够在需要翻转时能实现翻转,在不需要翻转时保证硅片平稳通过的装置。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型目的在于提供一种结构合理,多功能的可调式翻片装置。其采用如下技术方案:
一种可调式翻片装置,其包括支架,所述支架上设有:
转轴,所述转轴上套设有两翻转盘,所述翻转盘上沿径向间隔设置有多个用于容纳硅片的容纳槽,所述两翻转盘上的容纳槽配合将硅片固定;
驱动机构,所述驱动机构与所述转轴连接,所述驱动机构驱动所述转轴旋转,所述转轴可带动所述翻转盘将硅片从一面翻转至另一面;
所述转轴上沿轴向设有与硅片尺寸匹配的贯通孔,硅片可通过所述贯通孔从所述转轴的一边平移至另一边;
传输机构,所述传输机构用于将硅片传送至所述容纳槽内并承接翻转后的硅片,所述传输机构还用于通过所述贯通孔将硅片从所述转轴的一边平移至另一边。
作为本实用新型的进一步改进,所述翻转盘上对称设有两沿径向延伸的贯通槽,所述贯通孔的两开口分别与两所述贯通槽连通,硅片可在所述传输机构的驱动下通过其中一贯通槽进入所述贯通孔,再从另一贯通槽从所述贯通孔脱离。
作为本实用新型的进一步改进,所述转轴上套设有轴套,所述翻转盘套设于所述轴套上,所述轴套上设有连通所述贯通槽和贯通孔的缺口。
作为本实用新型的进一步改进,所述翻转盘上沿径向间隔设置有多个分隔板,两相邻所述分隔板之间形成所述容纳槽。
作为本实用新型的进一步改进,所述分隔板的两个面上装配有加强板,所述加强板的边缘延伸出所述分隔板。
作为本实用新型的进一步改进,所述加强板通过螺丝固定于所述分隔板上。
作为本实用新型的进一步改进,所述传输机构包括传送带,所述传送带穿设于两所述翻转盘之间。
作为本实用新型的进一步改进,所述驱动机构包括步进电机。
本实用新型的有益效果:
本实用新型的可调式翻片装置能够在需要翻转时能实现硅片的翻转,翻转效率高,并通过在转轴上设置贯通孔,在不需要翻转时保证硅片平稳通过。该装置结构合理,自动化程度高,可以大幅提高生产效率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造