[实用新型]一种H桥压接式IGBT测试系统

说明书

本申请公开了一种H桥压接式IGBT测试系统，包括支撑件、立柱、加压装置、滑块压头、上位机和两个实验臂桥；立柱至少两根且垂直设置，实验臂桥设置在至少两根立柱之间；滑块压头能够沿着立柱上下移动并压在两个实验臂桥的顶部；两组实验臂桥的4个IGBT通过接线板连接成H桥式；加压装置包括压力杆、压力传递装置和电机；压力传递装置内设有压力传感器；压力杆对滑块压头施加压力；上位机与电机和实验臂桥通信连接。上述系统可以在测试过程中施加可调节的外部压力，精确检测压接式IGBT外部施加的压力与器件电气特性之间的动态关系，解决了现有装置无法对压接式IGBT外部施加的压力与器件电气特性之间的动态关系进行测量的问题。

技术领域

本申请涉及IGBT测试技术领域，尤其涉及一种H桥压接式IGBT测试系统。

背景技术

绝缘栅双极性晶体管(英文缩写IGBT)作为大功率晶体开关器件，目前被广泛的应用在电力、新能源等高压强流工程技术领域。

一般单个IGBT基本芯片不能满足大功率应用的要求，在器件制造时，一般是将多个IGBT基本芯片以及相应的续流二极管芯片并联封装在一起，构成IGBT模块使用。IGBT模块内部封装工艺目前主要有传统焊接和压接两种形式，按照封装工艺的不同，可将IGBT分为传统焊接式与压接式两大种类。

一般压接式IGBT的内部结构如下：将多个正方形IGBT芯片平行放置于同一平面，每个芯片间具有一定的隔离，上下两侧用钼片从将其夹紧，分别与各个IGBT芯片相接触，构成多个IGBT基本芯片的并联联接。

上述结构中只是一般的机械接触，所以在使用时必须在该IGBT模块的外部施加足够的压力，以保证集电极、发射极与内部各个IGBT芯片的良好电气连接，使器件正常工作。压接式IGBT模块外部施加压力的大小对其内部的上下钼片与各个基本芯片的接触电阻、器件内部的机械结构等都会产生相应的影响，进而影响器件的电气性能。

双脉冲H桥测试电路结构是目前测试大功率电力电子器件驱动性能、动态特性等参数有效技术手段，同时该方法还可实现对多器件串并联拓扑关系的测试与评估，因此该技术成为目前IGBT器件电气动态特性分析的首选方案。但是目前现有的双脉冲测试装置主要针对传统IGBT，无法实现压接式IGBT的外部施加压力与器件特性之间动态关系的检测与分析。精确检测压接式IGBT外部施加的压力与器件电气特性之间的动态关系，对设计和使用压接式IGBT具有重要的理论和工程意义。因此，是本领域技术人员面临的问题是如何设计一种压接式IGBT测试装置，用于检测压接式IGBT外部施加的压力与器件电气特性之间的动态关系。

实用新型内容

本申请的目的在于提供一种H桥压接式IGBT测试系统，解决现有装置无法对压接式IGBT外部施加的压力与器件电气特性之间的动态关系进行测量的问题。

有鉴于此，本申请提供了一种H桥压接式IGBT测试系统，包括支撑件、立柱、加压装置、滑块压头、上位机和两个实验臂桥；

所述立柱垂直设置，两端与所述支撑件固定连接；

所述立柱的数量至少为两根，所述实验臂桥设置在至少两根所述立柱之间；

所述滑块压头上开设有通孔，所述立柱穿过所述通孔与所述滑块压头接触；

所述滑块压头压在两个所述实验臂桥的顶部；

所述实验臂桥包括由上至下依次连接的上接线板、第一IGBT、中接线板、第二IGBT和下接线板；

两个实验臂桥并排设置，4个IGBT通过接线板连接成H桥式；

所述加压装置包括压力杆、压力传递装置和电机；

所述压力传递装置用于将所述电机的转动转换为压力杆的上下移动，内设有压力传感器；

所述压力杆位于滑块压头的正上方；