[实用新型]一种微型多层陶瓷带通滤波器

权利要求书

1.一种微型多层陶瓷带通滤波器，其特征在于：包括中心层叠体及设于中心层叠体中的滤波电路，所述中心层叠体包括复数个自上而下叠置的承载单元，每个承载单元由多层介质基板自上而下层叠构成，相邻介质基板之间通过导带及过孔相互相连导通，所述中心层叠体的表面设有第一输入输出端和第二输入输出端；

所述滤波电路包括至少4个依次串接的第一传输零点结构和至少4个依次串接的第二传输零点结构，串接后的第一传输零点结构的末端与串接后的第二传输零点结构的首端串联，且位于首端的第一传输零点结构连接所述第一输入输出端，位于末端的所述第二传输零点结构连接所述第二输入输出端；每所述第一传输零点结构在通带上方的阻带内产生一传输零点，每所述第二传输零点结构在通带下方的阻带内产生一传输零点；

以至少一个第一传输零点结构和以至少一个第二传输零点结构分别为一个排布单元，每个排布单元设置于一所述承载单元上。

2.根据权利要求1所述的一种微型多层陶瓷带通滤波器，其特征在于：

非位于末端的所述第一传输零点结构采用顺接结构实现，即：非位于末端的所述第一传输零点结构的输入端面均位于与所述第一输入输出端的同侧，输入端面则位于与所述第一输入输出端的异侧；

位于末端的所述第一传输零点结构采用折叠结构实现，即：位于末端的所述第一传输零点结构的输入端面位于与所述第一输入输出端的异侧，输入端面则位于与所述第一输入输出端的同侧。

3.根据权利要求1所述的一种微型多层陶瓷带通滤波器，其特征在于：

所述第一传输零点结构仅为一电感L，或为电感L与一电容C的并联结构；

所述第二传输零点结构仅为一电容C；或为一电感L与一电容C的并联结构。

4.根据权利要求1所述的一种微型多层陶瓷带通滤波器，其特征在于：两相邻所述第一传输零点结构之间通过一电容C接地；任一所述第二传输零点结构的前端通过一电感L接地。

5.根据权利要求3所述的一种微型多层陶瓷带通滤波器，其特征在于：所述电感L是螺旋电感，其每一层都是由0.1mm宽度的金属导带绕成的1/2或者3/4矩形。

6.根据权利要求1所述的一种微型多层陶瓷带通滤波器，其特征在于：还包括两接地侧板，两所述接地侧板位于所述中心层叠体的侧面，所述介质基板中至少具有一接地层，该接地层连接所述接地侧板。

7.根据权利要求6所述的一种微型多层陶瓷带通滤波器，其特征在于：还包括一纵向屏蔽结构，所述纵向屏蔽结构设于所述中心层叠体内部并连接所述接地层；且所述中心层叠体的上方还设有一端面空白基板层，所述端面空白基板层由至少一空白的多层介质基板构成；所述纵向屏蔽结构处于两端面空白基板层之间。

8.根据权利要求1所述的一种微型多层陶瓷带通滤波器，其特征在于：两所述承载单元之间设有一间隔空白基板层，且任一间隔空白基板层由至少一空白的多层介质基板构成。

9.根据权利要求1所述的一种微型多层陶瓷带通滤波器，其特征在于：

所述第一传输零点结构和所述第二传输零点结构的数量分别为4个；

所述中心层叠体依次包括第一接地层、第一间隔空白基板层、第一承载单元、第二间隔空白基板层、第二承载单元、第三间隔空白基板层、第三承载单元以及第三接地层；

所述第一承载单元设置3个所述第一传输零点结构；

所述第二承载单元设置1个所述第一传输零点结构；

所述第三承载单元设置4个所述第二传输零点结构。

10.根据权利要求9所述的一种微型多层陶瓷带通滤波器，其特征在于：

4个所述第一传输零点结构均为电感L和电容C并联结构，分别为L1和C1的并联结构，L2和C2的并联结构，L3和C3的并联结构，L4和C4的并联结构；且所述L1和C1的并联结构与所述L2和C2的并联结构之间通过C5接地，所述L2和C2的并联结构和所述L3和C3的并联结构之间通过C6接地，所述L3和C3的并联结构和所述L4和C4的并联结构之间通过C7接地；

4个所述第二传输零点结构均为电感L和电容C并联结构，分别为L5和C8的并联结构，L6和C9的并联结构，L7和C10的并联结构，L8和C11的并联结构；且所述L5和C8的并联结构的前端通过L9接地，所述L6和C9的并联结构的前端通过L10接地，所述L7和C10的并联结构的前端通过L11接地，所述L8和C11的并联结构的前端通过L12接地；

所述第一承载单元由第1～4层介质基板构成，第1和第2层介质基板制作有L1、L2、L3，第3和第4层介质基板制作有C1、C2、C3，且第1层介质基板还制作有C5与C6，第2层介质基板还制作有C7，其中C1、L1与第一输入输出端S1相连；

所述第二承载单元由第5～8层介质基板构成，第5和第6层介质基板制作有L4，第7和第8层介质基板制作有C4，第6层介质基板制作有水平面屏蔽结构；

所述第三承载单元由第9～18层介质基板构成，第9层介质基板为接地层，第10和第11层介质基板制作有L9、L10、L11、L12，第12层到第16层介质基板制作有L5、L6、L7、L8，第17与第18层介质基板制作有C8、C9、C10、C11，其中L8、C11与第二输入输出端相连。