[实用新型]存储器

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中形成有多个有源区和沟槽隔离结构，沟槽隔离结构分隔相邻的有源区，以及所述衬底中还形成有字线沟槽，所述字线沟槽沿着预定方向延伸，以穿过相应的有源区和沟槽隔离结构；

介质材料层，覆盖所述字线沟槽的内壁，以及所述介质材料层具有上下连接的上层部和下层部，所述上层部和所述下层部均沿着所述预定方向连续延伸，以使所述字线沟槽中位于所述有源区中的沟槽内壁和位于所述沟槽隔离结构中的沟槽内壁均覆盖有所述上层部和所述下层部，并且所述上层部的厚度值大于所述下层部的厚度值；以及，

至少一条字线，所述字线形成在所述介质材料层上并填充所述字线沟槽，并且所述字线从所述下层部延伸至所述上层部。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述字线沟槽中位于所述有源区中的部分构成第一凹槽，所述字线沟槽中位于所述沟槽隔离结构中的部分构成第二凹槽，所述第二凹槽的开口尺寸大于所述第一凹槽的开口尺寸。

3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述字线沟槽中位于所述有源区中的部分构成第一凹槽，所述字线沟槽中位于所述沟槽隔离结构中的部分构成第二凹槽，所述第二凹槽的底部位置低于所述第一凹槽的底部位置。

4.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述介质材料层的所述下层部中位于所述有源区中的部分构成第一下层部，所述介质材料层的所述下层部中位于所述沟槽隔离结构中的部分构成第二下层部，所述第一下层部的厚度尺寸与所述第二下层部的厚度尺寸互不相同。

5.如权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述第一下层部的厚度尺寸大于所述第二下层部的厚度尺寸。

6.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述介质材料层包括第一介质层和第二介质层；

其中，所述第一介质层覆盖所述字线沟槽高于预定高度位置的内壁，所述第二介质层覆盖所述第一介质层和所述字线沟槽低于预定高度位置的内壁，以利用所述第二介质层中低于预定高度位置的部分构成所述下层部，并利用所述第二介质层中高于预定高度位置的部分和所述第一介质层构成所述上层部。

7.如权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述第一介质层在垂直于沟槽侧壁方向上的厚度尺寸大于所述第二介质层在垂直于沟槽侧壁方向上的厚度尺寸。

8.如权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述第二介质层中位于所述有源区中的部分与所述第二介质层中位于所述沟槽隔离结构中的部分的厚度尺寸互不相同。

9.如权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述字线沟槽中高于预定高度位置的部分构成上沟槽，所述字线沟槽中低于预定高度位置的部分构成下沟槽，所述上沟槽的开口尺寸大于所述下沟槽的开口尺寸，并且所述上沟槽和所述下沟槽在连接处形成台阶状结构。

10.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述介质材料层包括第一介质层和第二介质层；

其中，所述第一介质层覆盖所述字线沟槽的内壁，并且所述第一介质层中低于预定高度位置的部分构成所述下层部，以及所述第二介质层覆盖所述第一介质层中高于预定高度位置的部分，并利用所述第二介质层和所述第一介质层中高于预定高度位置的部分构成所述上层部。

11.如权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述第二介质层在垂直于沟槽侧壁方向上的厚度尺寸大于所述第一介质层在垂直于沟槽侧壁方向上的厚度尺寸。

12.如权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述第一介质层中位于所述有源区中的部分与所述第一介质层中位于所述沟槽隔离结构中的部分的厚度尺寸互不相同。