[实用新型]高精度的热电阻自检测电路

权利要求书

1.高精度的热电阻自检测电路，其特征在于：包括热电阻检测电路、基准电阻检测电路以及处理芯片，所述热电阻检测电路包括基准电阻，所述基准电阻检测电路包括开关件以及检测电阻；

所述开关件的一端连接电源，所述开关件的另一端与所述基准电阻的一端连接，所述基准电阻的另一端与所述检测电阻的一端连接，所述检测电阻的另一端接地；

所述基准电阻的两端与所述检测电阻的两端分别连接在所述处理芯片的连接接口上，所述检测电阻的精度高于所述基准电阻的精度，所述检测电阻的温度系数小于所述基准电阻的温度系数。

2.根据权利要求1所述的高精度的热电阻自检测电路，其特征在于：所述检测电阻的阻值为1000欧，所述检测电阻精度为0.01％。

3.根据权利要求1所述的高精度的热电阻自检测电路，其特征在于，所述开关件为第一光耦继电器，所述芯片为AD7190芯片。

4.根据权利要求3所述的高精度的热电阻自检测电路，其特征在于：所述基准电阻检测电路还包括第二光耦继电器、第三光耦继电器；

所述第一光耦继电器的第四端口与所述电源连接，所述第一光耦继电器的第三端口与所述基准电阻的一端连接，所述基准电阻的另一端与所述第二光耦继电器的第四端口连接，所述第二光耦继电器的第三端口同时与所述第三光耦继电器的第三端口、所述检测电阻的一端连接，所述检测电阻的另一端接地；

所述基准电阻的两端分别与所述处理芯片的第一连接接口、第二连接接口连接，所述检测电阻上接地的一端与所述处理芯片的第三连接接口连接，所述第三光耦继电器的第四端口与所述处理芯片的第四连接接口连接；

所述第一光耦继电器、所述第二光耦继电器以及所述第三光耦继电器的第一端口均连接同一光耦继电器使能端且第二接口均接地。

5.根据权利要求4所述的高精度的热电阻自检测电路，其特征在于：所述第一光耦继电器、所述第二光耦继电器以及所述第三光耦继电器的第一端口以及所述第一光耦继电器的第四端口与所述电源之间均连接有一个分压电阻。

6.根据权利要求1所述的高精度的热电阻自检测电路，其特征在于：所述热电阻检测电路还包括第一N沟道场效应管，所述第一N沟道场效应管的栅极连接N沟道场效应管使能端，所述第一N沟道场效应管的源极与所述基准电阻连接，所述第一N沟道场效应管的漏极与所述开关件的一端连接；

所述处理芯片的两个连接接口分别连接在所述第一N沟道场效应管的漏极以及所述基准电阻上远离所述第一N沟道场效应管的一端上。

7.根据权利要求1所述的高精度的热电阻自检测电路，其特征在于：所述基准电阻检测电路还包括双向TVS二极管，所述检测电阻上远离所述基准电阻的一端与所述双向TVS二极管的一端连接，所述双向TVS二极管的另一端接地。

8.根据权利要求7所述的高精度的热电阻自检测电路，其特征在于：所述基准电阻检测电路还包括第二N沟道场效应管，所述第二N沟道场效应管的栅极连接检测使能端，所述第二N沟道场效应管的漏极与所述双向TVS二极管的一端并联连接，所述第二N沟道场效应管的源极接地。