[实用新型]一种IGBT功率模块封装结构

权利要求书

1.一种IGBT功率模块封装结构，包括铜底板(2)、外壳(1)、主电极(3)和栅极端子(4)，所述外壳(1)安装在铜底板(2)上，所述铜底板(2)上设有覆铜陶瓷基板(5)，所述主电极(3)焊接在覆铜陶瓷基板(5)上，其特征在于：所述主电极(3)为叠层母排，所述覆铜陶瓷基板(5)的周边设有绝缘基板图形面(6)，所述铜底板(2)上设有与绝缘基板图形面(6)连通的小型绝缘基板(8)，所述栅极端子(4)焊接于所述小型绝缘基板(8)上，所述栅极端子(4)的顶部穿出外壳(1)。

2.根据权利要求1所述的一种IGBT功率模块封装结构，其特征在于：所述主电极(3)包括连接在一起的电极臂(33)和电极腿，所述电极臂(33)的上半部分伸出外壳(1)并折弯，其中伸出外壳(1)的部分开设有安装孔(34)，所述安装孔(34)为圆形或椭圆形，所述安装孔(34)用于与外壳(1)上对应放置的螺母(7)进行结合，所述电极腿焊接在覆铜陶瓷基板(5)上。

3.根据权利要求2所述的一种IGBT功率模块封装结构，其特征在于：所述电极臂(33)上开设有两个电极折弯孔(35)，两个电极折弯孔(35)位于安装孔(34)的下方。

4.根据权利要求2所述的一种IGBT功率模块封装结构，其特征在于：所述电极腿为侧U型电极腿(31)，所述电极臂(33)的底端与侧U型电极腿(31)连接，所述侧U型电极腿(31)的U型开口所在竖直面与电极臂(33)竖直延伸面一致，所述侧U型电极腿(31)的底部与覆铜陶瓷基板(5)焊接。

5.根据权利要求2所述的一种IGBT功率模块封装结构，其特征在于：所述电极腿为S型电极腿(32)，所述电极臂(33)的底端与S型电极腿(32)的上端连接，所述S型电极腿(32)的底部与覆铜陶瓷基板(5)焊接。

6.根据权利要求1所述的一种IGBT功率模块封装结构，其特征在于：所述栅极端子(4)采用合金镀层。

7.根据权利要求1所述的一种IGBT功率模块封装结构，其特征在于：所述铜底板(2)上设有四块覆铜陶瓷基板(5)，四块覆铜陶瓷基板(5)对称式布置在铜底板(2)上。

8.根据权利要求1所述的一种IGBT功率模块封装结构，其特征在于：所述外壳(1)上设有外壳(1)凸台(11)，所述外壳(1)凸台(11)上设有电极槽(12)，所述主电极(3)从电极槽(12)穿出，所述外壳(1)上设有栅极槽(13)，所述栅极端子(4)从栅极槽(13)穿出，所述栅极槽(13)的四周还设有栅极护板(14)。

9.根据权利要求8所述的一种IGBT功率模块封装结构，其特征在于：所述外壳(1)的内侧还设有内隔板(15)，所述外壳(1)上还开设有便于灌胶用的通孔(16)。