[实用新型]屏蔽膜有效
申请号: | 201921473959.1 | 申请日: | 2019-09-05 |
公开(公告)号: | CN210840537U | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 刘麟跃;周小红;基亮亮 | 申请(专利权)人: | 苏州维业达触控科技有限公司 |
主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00;C25D1/10 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 杨波 |
地址: | 215026 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 屏蔽 | ||
1.一种屏蔽膜,其特征在于,包括由微电铸制备形成包括多条金属线的屏蔽区,以及由微电铸制备形成、连接于所述屏蔽区至少一侧、用以降低所述屏蔽区整体的厚度差异的缓冲区。
2.如权利要求1所述的屏蔽膜,其特征在于,所述缓冲区的宽度大于所述屏蔽区中金属线的宽度。
3.如权利要求2所述的屏蔽膜,其特征在于,所述屏蔽区中金属线的宽度为3-10μm,所述缓冲区的宽度为0.5-2cm。
4.如权利要求1所述的屏蔽膜,其特征在于,所述屏蔽区的厚度小于所述缓冲区的厚度,所述屏蔽区与所述缓冲区的厚度差异小于或等于3μm,所述缓冲区的厚度为5-20μm,所述屏蔽区的厚度2-17μm。
5.如权利要求1所述的屏蔽膜,其特征在于,所述屏蔽区设有第一导电层、设置在所述第一导电层上的第二导电层,所述缓冲区设有第一金属层、设置在所述第一金属层上的第二金属层,所述第一导电层连接所述第一金属层,所述第二导电层连接所述第二金属层。
6.如权利要求5所述的屏蔽膜,其特征在于,所述第二导电层的厚度大于所述第一导电层的厚度,所述第二金属层的厚度大于所述第一金属层的厚度。
7.如权利要求5所述的屏蔽膜,其特征在于,所述第一导电层与所述第一金属层的材料相同,所述第二导电层与所述第二金属层的材料相同,所述第一导电层与所述第一金属层的材料为银或铜或金或石墨烯或其它导电材料的浆料,所述第二导电层与所述第二金属层的材料为银或铜或金或镍或铁镍合金或其它金属材料。
8.如权利要求5所述的屏蔽膜,其特征在于,所述第一导电层与所述第二导电层的接触面为平面或非平面,所述第一金属层与所述第二金属层的接触面为平面或非平面。
9.如权利要求1所述的屏蔽膜,其特征在于,所述屏蔽区四周均设置所述缓冲区。
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