[实用新型]像素电路、有机发光二极管显示面板及终端设备有效
申请号: | 201921478044.X | 申请日: | 2019-09-05 |
公开(公告)号: | CN210837109U | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 刘颖 | 申请(专利权)人: | 北京小米移动软件有限公司 |
主分类号: | G09G3/3225 | 分类号: | G09G3/3225;G09G3/3233 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 郑光 |
地址: | 100085 北京市海淀区清河*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 电路 有机 发光二极管 显示 面板 终端设备 | ||
1.一种像素电路,包括像素补偿子电路(100),所述像素补偿子电路(100)具有复位电压输入端,其特征在于,所述像素电路,还包括:
运放子电路(200),所述运放子电路(200)的反相输入端与输出端电连接,所述运放子电路(200)的输出端与所述复位电压输入端电连接。
2.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述运放子电路(200)包括单级运算放大器。
3.根据权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述单级运算放大器包括四个晶体管:第一晶体管(T11)、第二晶体管(T12)、第三晶体管(T13)和第四晶体管(T14);所述第一晶体管(T11)的栅极为输入端,所述第一晶体管(T11)的源极与所述第二晶体管(T12)的源极、所述第二晶体管(T12)的栅极以及所述第四晶体管(T14)的栅极电连接,所述第一晶体管(T11)的漏极与所述第三晶体管(T13)的源极均为低电平输入端,所述第二晶体管(T12)的漏极与所述第四晶体管(T14)的源极均为高电平输入端,所述第四晶体管(T14)的漏极与所述第三晶体管(T13)的漏极以及所述第三晶体管(T13)的栅极电连接,所述第三晶体管(T13)的栅极为输出端。
4.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述像素补偿子电路(100)为7T1C像素补偿子电路,T为晶体管,C为电容;
所述7T1C像素补偿子电路包括:驱动晶体管(T21)、第五晶体管(T22)、第六晶体管(T23)、第七晶体管(T24)、第八晶体管(T25)、第九晶体管(T26)、第十晶体管(T27)和电容(C);
所述驱动晶体管(T21)的栅极连接所述电容(C)的一端,所述电容(C)的另一端连接高电平输入端,所述驱动晶体管(T21)的源极分别连接所述第八晶体管(T25)的漏极、所述第九晶体管(T26)的漏极,所述驱动晶体管(T21)的漏极分别连接所述第七晶体管(T24)的源极、所述第十晶体管(T27)的源极;所述第五晶体管(T22)和所述第六晶体管(T23)的栅极均为重置电压输入端,所述第五晶体管(T22)的源极和所述第六晶体管(T23)的源极均为复位电压输入端,所述第五晶体管(T22)的漏极分别连接所述驱动晶体管(T21)的栅极、所述第七晶体管(T24)的源极,所述第六晶体管(T23)的漏极分别连接有机发光二极管的阳极、所述第十晶体管(T27)的漏极,所述第七晶体管(T24)的栅极和所述第九晶体管(T26)的栅极均为栅极电压输入端,所述第八晶体管(T25)的源极为高电平输入端,所述第八晶体管(T25)的栅极和所述第十晶体管(T27)的栅极为发光控制电压输入端,所述第九晶体管(T26)的源极为数据电压输入端。
5.根据权利要求3或4所述的像素电路,其特征在于,所述晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。
6.根据权利要求5所述的像素电路,其特征在于,所述低温多晶硅薄膜晶体管包括:层叠设置在基板(301)上的缓冲层(302)、有源层(303)、栅绝缘层(304)、栅极(305)、绝缘层(306)和源漏极(307),所述栅绝缘层(304)和所述绝缘层(306)上开设有过孔(308),所述源漏极(307)通过所述过孔(308)与所述有源层(303)电连接。
7.一种有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述有机发光二极管显示面板包括如权利要求1至6任一所述的像素电路。
8.一种终端设备,其特征在于,所述终端设备包括如权利要求7所述的有机发光二极管显示面板。
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