[实用新型]IGBT保护驱动电路

说明书

本实用新型提供了一种IGBT保护驱动电路，包括：驱动芯片、光电隔离器、与非门、IGBT管、电阻、电容、二极管；第一电阻一端连接光电隔离器一输入端另一端连接驱动芯片电源电压端；光电隔离器另一输入端连接驱动芯片故障输出电流端；光电隔离器另一输出端连接与非门一输入端；与非门输出端连接驱动芯片一输入电压端；第一二极管阳极连接驱动芯片检测电压端，第一二极管阴极分别连接IGBT管集极、第二二极管阴极以及第三电阻一端；第三电阻另一端连接第三电容一端；第三电容另一端、第二二极管阳极以及IGBT管发射极均接地；第二电阻一端连接IGBT管的栅极另一端连接驱动芯片输出电压端。该电路结构简单，可有效保护IGBT管。

技术领域

本实用新型属于IGBT控制技术领域，尤其涉及IGBT保护驱动电路。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。目前现有的IGBT驱动电路结构复杂，并且在IGBT管在关断过程中容易导致IGBT管损坏。

实用新型内容

本实用新型的目的在于针对现有技术的上述问题，提供了一种IGBT保护驱动电路用于解决现有技术的不足。

具体地，本实用新型实施例提供了一种IGBT保护驱动电路，包括：驱动芯片、光电隔离器、与非门、IGBT管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第一二极管和第二二极管；所述第一电阻的一端连接所述光电隔离器的一输入端，所述第一电阻的另一端连接所述驱动芯片的第一电源电压端；所述光电隔离器的另一输入端连接所述驱动芯片的故障输出电流端；所述光电隔离器的一输出端连接参考电压，所述光电隔离器的另一输出端连接所述与非门的一输入端；所述与非门的另一输入端连接输入电压端；所述与非门的输出端连接所述驱动芯片的一输入电压端；所述驱动芯片的另一输入电压端连接参考电压；所述第一二极管的阳极连接所述驱动芯片的检测电压端，所述第一二极管的阴极分别连接所述IGBT管的集电极、所述第二二极管的阴极以及所述第三电阻的一端；所述第三电阻的另一端连接所述第三电容的一端；所述第三电容的另一端、所述第二二极管的阳极以及所述IGBT管的发射极均接地；所述第二电阻的一端连接所述IGBT管的栅极，所述第二电阻的另一端连接所述驱动芯片的输出电压端；所述第一电容的一端接地，所述第一电容的另一端连接所述驱动芯片的第一电源电压端；所述第二电容的一端接地，所述第二电容的另一端连接所述驱动芯片的第二电源电压端。

进一步地，还包括：第三二极管；所述第三二极管的阳极连接所述第二二极管的阴极；所述第三二极管的阴极连接所述第三电阻与所述第三电容的共用端。

进一步地，还包括：第一稳压管；所述第一稳压管的阳极连接所述驱动芯片的检测电压端，所述第一稳压管的阴极连接所述驱动芯片的第二电源电压端。

进一步地，还包括：第二稳压管和第三稳压管；所述第二稳压管的阴极连接所述第三稳压管的阴极；所述第二稳压管的阳极连接所述IGBT管的栅极，所述第三稳压管的阳极接地。

进一步地，所述驱动芯片为M57962L。

进一步地，所述IGBT管为N型沟道绝缘栅双极型功率管。

进一步地，所述与非门为74HC00D。

采用本实用新型提供的技术方案，与已有的公知技术相比，至少具有如下有益效果：该IGBT保护驱动电路结构简单，第三电阻和第三电容构成缓冲吸收电路可以有效抑制IGBT管在关断时的过压与过流，有效保护IGBT管。

附图说明