[实用新型]结合层结构有效
申请号: | 201921479845.8 | 申请日: | 2018-09-28 |
公开(公告)号: | CN211700228U | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | V·D·帕克荷;R·A·林德利 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 汪骏飞;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结合 结构 | ||
1.一种结合层结构,其特征在于,所述结合层结构包括:
第一主体,所述第一主体具有从其中穿过的流孔,所述第一主体具有表面;
第二主体,所述第二主体具有从其中穿过的流孔,所述第二主体在面对表面上具有凹槽;以及
结合层,所述结合层被设置在所述第一主体的所述表面与所述第二主体的所述面对表面之间,所述结合层包括:
第一结合层,所述第一结合层具有延伸穿过所述第一结合层的第一开口;以及
第二结合层,所述第二结合层具有延伸穿过所述第二结合层的第二开口,其中所述第二开口具有大于所述凹槽的直径的直径。
2.如权利要求1所述的结合层结构,其中所述第一结合层与所述第二结合层包括结合材料片。
3.如权利要求1所述的结合层结构,其中所述结合层结构进一步包括多孔插塞,所述多孔插塞被设置成与所述结合层相邻。
4.如权利要求1所述的结合层结构,其中穿过所述第一主体的所述流孔的中心、穿过所述第二主体的所述流孔的中心、穿过所述第一结合层的所述开口的中心以及穿过所述第二结合层的所述开口的中心沿着从其中延伸穿过的轴线对准。
5.一种结合层结构,其特征在于,所述结合层结构包括:
第一主体,所述第一主体具有从其中穿过的第一流孔,所述第一主体具有表面;
第二主体,所述第二主体具有从其中穿过的第二流孔,所述第二主体在面对表面上具有凹槽,其中所述第一流孔的直径与所述凹槽的直径大于所述第二流孔的直径;
结合层,所述结合层被设置在所述第一主体与所述第二主体之间;以及
开口,所述开口穿过所述结合层而形成,其中所述开口具有小于所述第二主体的所述凹槽的所述直径的直径。
6.如权利要求5所述的结合层结构,其中所述结合层结构进一步包括多孔插塞,所述多孔插塞被设置成与所述结合层相邻。
7.如权利要求5所述的结合层结构,其中穿过所述第一主体的所述孔的中心、穿过所述第二主体的所述孔的中心、穿过所述结合层的所述开口的中心沿着从其中延伸穿过的轴线对准。
8.如权利要求6所述的结合层结构,其中所述插塞具有比穿过所述结合层的所述开口的所述直径大的宽度。
9.一种结合层结构,其特征在于,所述结合层结构包括:
第一主体,所述第一主体具有从其中穿过的第一流孔,所述第一主体具有表面;
第二主体,所述第二主体具有从其中穿过的第二流孔,所述第二主体在面对表面上具有凹槽,其中所述第一流孔的直径大于所述凹槽的直径和所述第二流孔的直径;
结合层,所述结合层被设置在所述第一主体与所述第二主体之间;
开口,所述开口穿过所述结合层而形成,其中所述开口具有大于所述第二主体中的所述凹槽的直径;
插塞,所述插塞被设置成与所述第一流孔相邻;以及
密封件,所述密封件被设置在所述结合层的所述开口内,其中所述密封件与所述第二主体接触以创建密封点。
10.如权利要求9所述的结合层结构,其中所述结合层结构进一步包括:
环,所述环被设置在所述插塞与所述密封件之间,其中所述环的表面限定用于所述密封件的密封表面。
11.如权利要求9所述的结合层结构,其中所述第一主体的所述孔的中心、所述第二主体的所述孔的中心和穿过所述结合层的所述开口的中心沿着从其中延伸穿过的轴线对准。
12.如权利要求9所述的结合层结构,其中所述开口具有小于所述插塞的宽度的直径。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造