[实用新型]一种适用于曲面成像的焦平面探测器有效

专利信息
申请号: 201921494573.9 申请日: 2019-09-10
公开(公告)号: CN210862938U 公开(公告)日: 2020-06-26
发明(设计)人: 叶振华;张伟婷;陈星;刘丰硕;孙常鸿 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: G01J5/20 分类号: G01J5/20;H01L27/144
代理公司: 上海沪慧律师事务所 31311 代理人: 郭英
地址: 200083 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 适用于 曲面 成像 平面 探测器
【说明书】:

专利提供一种适用于曲面成像的焦平面探测器,所述的适用于曲面成像的焦平面探测器包括:支撑衬底;赋形焦平面阵列,位于所述支撑衬底的表面,赋形焦平面阵列和支撑衬底的曲面形状保持一致。采用这种结构可以始终保持光线聚焦在焦平面探测器上,不需要通过复杂的光学校正计算便可以保证最大程度的成像效果,该结构适合大视场、大面阵高分辨率成像。所述的制备方法使用了PDMS柔性模具对硅基焦平面进行赋形,并且使用紫外固化材料和紫外光照进行定形,过程简单,成形过程不需要复杂昂贵的仪器和设备,并且制备效率高。

技术领域

本专利属于红外探测器芯片制备相关技术领域,具体是指一种适用于曲面成像的探测器及其制备方法。

背景技术

红外成像探测是光电系统的核心部分,它可以实现昼夜观测,被动成像,抗阳光干扰、抗大气和战场烟雾等环境散射的能力显著优于可见光系统。大视场高分辨探测是红外成像技术发展的关键性问题。现代大视场、高分辨率红外成像探测需要采用复杂的光学系统用以减小像差,提高光学分辨率,由此带来了高分辨系统体积重量庞大等问题,在星载、弹载及主动攻击武器应用上带来了应用限制。产生此问题的主要原因在于,在光电成像系统中探测器位于光学系统像元近焦面处,由于探测器是平面结构(通常称为焦平面),需要通过复杂的光学系统对焦面进行补偿修正,保证成像的无畸变。对于大视场、高分辨系统,畸变校正的难度和系统复杂度显著增加,多透镜的采用在像差校正的同时也显著增加了光学损失。同时,这种传统解决方式随着探测器越来越追求SWaP3(尺寸、重量、功耗、性能、成本)的情况下而越发显得捉襟见肘。

在发展大视场成像技术上,将光学透镜等功能集成在类视网膜红外焦平面探测器杜瓦内部,实现大视场的高质量成像探测。仿生学一直以来都给予人类许多启发,而人眼作为一个极其重要的器官对探测器具有指导意义——即类视网膜探测器的制备。通过制备这样一种类视网膜探测器可以将像差直接回避,并且可以用于大视场角,维持较高的探测性能,进而简化系统。

人眼视网膜结构是一种凹面结构,可以采用较简单的光学系统实现大视场高分辨探测任务。若采用柔性成像探测器,按照光学系统焦面形状进行适应性布局,则能够极大简化光学系统设计,提升大视场下的高分辨性能。对于二类超晶格和碲镉汞探测器而言,较小的机械损伤阈值使得其弯曲成为困难,而硅基芯片而言则是具有实用价值,因此,从硅基焦平面探测器开始研究是十分有意义的。

发明内容

本专利的目的是为了解决在传统成像时需要通过复杂的光学系统对焦面进行补偿修正像差的问题,通过本专利这样一种适用于曲面成像的焦平面探测器的结构可以直接补偿像差,从而极大简化了光学系统的设计,提升了大视场下的高分辨性能。

本专利的技术解决方案:一种适用于曲面成像的焦平面探测器结构,所述的适用于曲面成像的焦平面探测器结构包括:

支撑衬底和赋形焦平面阵列,其特征在于,支撑衬底的材料是氮化硅,其厚度不超过0.5mm,曲面形状与赋形焦平面保持一致;赋形焦平面阵列,采用DW-3低温环氧胶粘接在所述支撑衬底的表面,其厚度不超过0.1mm,曲率半径是20—200mm,F数的范围0.9—5。

本专利中适用于曲面成像的焦平面探测器结构的有益效果是:采用这种结构可以始终保持光线聚焦在焦平面探测器上,不需要通过复杂的光学校正计算便可以保证最大程度的成像效果,该结构适合大视场、大面阵高分辨率成像。

本专利还涉及上述适用于曲面成像的焦平面探测器的制备方法,包括如下步骤:

将芯片制备在硅氧化层或者其他牺牲层上,经过和正常工艺一致的制备后,可以得到牺牲层上的芯片,将牺牲层完全去除后便可以剥离上层芯片,形成一个具有柔韧性的薄层阵列。先将薄层阵列粘接到支撑衬底上,然后再放入具有一定曲率的PDMS柔性模具上,对其进行赋形。赋形后采用紫外固化材料和紫外光照进行定形,最后取出赋形焦平面探测器,对支撑衬底进行减薄削平。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所,未经中国科学院上海技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921494573.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top