[实用新型]一种改进的低功耗滤波器有效

专利信息
申请号: 201921501989.9 申请日: 2019-09-10
公开(公告)号: CN210578249U 公开(公告)日: 2020-05-19
发明(设计)人: 韩镕蔚 申请(专利权)人: 广东尚研电子科技有限公司
主分类号: H02M1/44 分类号: H02M1/44
代理公司: 广州广信知识产权代理有限公司 44261 代理人: 张文雄
地址: 510260 广东省佛山市顺德区北*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 改进 功耗 滤波器
【权利要求书】:

1.一种改进的低功耗滤波器,其特征在于:由压敏电阻ZNR、电容C1-C3、电阻R1-R4、放电芯片IC1-IC2、共模电感L1和差模电感L2连接而成;压敏电阻ZNR跨接在电源输入端Lin和电源输入端Nin之间、以抑制雷击浪涌电压;电容C1并联在压敏电阻ZNR的两端,形成输入干扰抑制结构;共模电感L1输入端的接头之一通过电阻R1、接头之二通过电阻R2各连接放电芯片IC1的一个I/O端;该共模电感L1的输出端的接头之一通过差模电感L2、电阻R4、接头之二通过电阻R3各连接放电芯片IC2的一个I/O端,差模电感L2连接在共模电感L1输出端与电源输出端NOUT之间,构成共模电感结构;电容C2与C3串联后跨接在共模电感L1的输出端的二个接头之间,构成共模干扰抑制结构;电容C2与C3的连接点接电源的保护接地;放电芯片IC2的I/O端之一通过电阻R3连接电源输出端Lout、I/O端之一通过电阻R4连接电源输出端Nout;形成低功耗滤波器结构。

2.根据权利要求1所述的一种改进的低功耗滤波器,其特征在于:所述的电容C1与压敏电阻ZNR并联连接,构成输入干扰抑制结构。

3.根据权利要求1或2所述的一种改进的低功耗滤波器,其特征在于:电容C2与C3串联后与电容C4并联并跨接在共模电感L1的输出端的二个接头之间,构成共模抑制电路结构。

4.根据权利要求1或2所述的一种改进的低功耗滤波器,其特征在于:共模电感L1与共模抑制电容C2、C3组成了共模抑制电路,共模电感L1由两组同向绕制的线圈组成。

5.根据权利要求1或2所述的一种改进的低功耗滤波器,其特征在于:差模电感L2与输入干扰抑制电容C1共同构成差模抑制电路。

6.根据权利要求1或2所述的一种改进的低功耗滤波器,其特征在于:电容C2与C3串联组并联电容C4,该电容C4构成平滑电容,以把经过共模电感后的脉动电压变得平滑、减少脉动成份,使输出平稳。

7.根据权利要求1或2所述的一种改进的低功耗滤波器,其特征在于:在电容C1与电源输入端Lin的连接处设有保险管FUSE,所述保险管FUSE一端与电源输入端Lin相连、另一端与电容C1相连,电容C1另一端与电源输入端Nin相连。

8.根据权利要求1或2所述的一种改进的低功耗滤波器,其特征在于:所涉及的部分元件参数,抑制电容C1为0.1μF-6mF,共模抑制电容C2、C3为0.001μF-0.1μF,平滑电容C4为0.1μF-6mF,共模电感L1为0.5mH-30mH,差模电感L2为0.02μH-2nH。

9.根据权利要求1或2所述的一种改进的低功耗滤波器,其特征在于:放电芯片IC1、IC2的型号为CAP200DG、MAX8731或者充/放电芯片BQ24735。

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