[实用新型]一种板块互联高密度光伏组件电路有效
申请号: | 201921509971.3 | 申请日: | 2019-09-11 |
公开(公告)号: | CN210926036U | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 王永;巴义敏;吕井成;鲍家兴;李纪伟;于平;蒲雪莲 | 申请(专利权)人: | 唐山海泰新能科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/044 | 分类号: | H01L31/044;H01L31/02 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 刘凤玲 |
地址: | 064100 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 板块 高密度 组件 电路 | ||
1.一种板块互联高密度光伏组件电路,其特征在于,所述光伏组件电路包括:第一光伏组件单元、第二光伏组件单元、第一旁路二极管、第二旁路二极管、第三旁路二极管、第四旁路二极管、第一虚拟线、第二虚拟线和第三虚拟线;
所述第一光伏组件单元的正极与所述第二光伏组件单元的负极连接,所述第一光伏组件单元的负极与所述第二光伏组件单元的正极连接;所述第一光伏组件单元的正极作为所述光伏组件电路的正极,所述第二光伏组件单元的负极作为所述光伏组件电路的负极;所述第一光伏组件单元的正极与所述第二光伏组件单元的负极之间依次反向串联所述第一旁路二极管、所述第二旁路二极管和所述第三旁路二极管;
所述第一光伏组件单元的正极和所述第一光伏组件单元的负极之间依次设有第一连接点和第二连接点;所述第一虚拟线的一端与所述第一连接点连接,所述第一虚拟线的另一端与所述第一旁路二极管的正极连接;所述第二光伏组件单元的负极和所述第二光伏组件单元的正极之间依次设有第三连接点和第四连接点;所述第二虚拟线的一端与所述第三连接点连接,所述第二虚拟线的另一端与所述第三旁路二极管的负极连接;所述第二连接点与所述第四连接点之间通过所述第三虚拟线反向串联所述第四旁路二极管。
2.根据权利要求1所述的光伏组件电路,其特征在于,所述第一光伏组件单元包括第一电池串、第二电池串和第三电池串;
所述第一电池串、所述第二电池串和所述第三电池串并联连接;
所述第一电池串的第一连接点位置、所述第二电池串的第一连接点位置和所述第三电池串的第一连接点位置共点连接,形成所述第一光伏组件单元的第一连接点;
所述第一电池串的第二连接点位置、所述第二电池串的第二连接点位置和所述第三电池串的第二连接点位置共点连接,形成所述第一光伏组件单元的第二连接点。
3.根据权利要求2所述的光伏组件电路,其特征在于,所述第二光伏组件单元包括第四电池串、第五电池串和第六电池串;
所述第四电池串、所述第五电池串和所述第六电池串并联连接;
所述第四电池串的第三连接点位置、所述第五电池串的第三连接点位置和所述第六电池串的第三连接点位置共点连接,形成所述第二光伏组件单元的第三连接点;
所述第四电池串的第四连接点位置、所述第五电池串的第四连接点位置和所述第六电池串的第四连接点位置共点连接,形成所述第二光伏组件单元的第四连接点。
4.根据权利要求1所述的光伏组件电路,其特征在于,所述第二连接点到所述第一光伏组件单元负极的距离与所述第四连接点到所述第二光伏组件单元正极的距离相等。
5.根据权利要求2所述的光伏组件电路,其特征在于,所述第一光伏组件单元还包括多个第一横向互联电路线;
所述第一光伏组件单元在所述第一光伏组件单元的正极与所述第一连接点之间的部分上设有多个所述第一横向互联电路线,所述第一光伏组件单元在所述第一连接点与所述第二连接点之间的部分上设有至少一个所述第一横向互联电路线;
所述第一电池串、所述第二电池串和所述第三电池串均与所述第一横向互联电路线连接;所述第一横向互联电路线与所述第三虚拟线平行;所述第一横向互联电路线用于将所述第一横向互联电路线在所述第一电池串、所述第二电池串和所述第三电池串的对应位置连通。
6.根据权利要求3所述的光伏组件电路,其特征在于,所述第二光伏组件单元还包括多个第二横向互联电路线;
所述第二光伏组件单元在所述第二光伏组件单元的负极与所述第三连接点之间的部分上设有多个所述第二横向互联电路线,所述第二光伏组件单元在所述第三连接点与所述第四连接点之间的部分上设有至少一个所述第二横向互联电路线;
所述第四电池串、所述第五电池串和所述第六电池串均与所述第二横向互联电路线连接;所述第二横向互联电路线与所述第三虚拟线平行;所述第二横向互联电路线用于将所述第二横向互联电路线在所述第四电池串、所述第五电池串和所述第六电池串的对应位置连通。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的