[实用新型]一种反向导通场截止型IGBT有效

申请号：	201921512202.9	申请日：	2019-09-11
公开（公告）号：	CN210073859U	公开（公告）日：	2020-02-14
发明（设计）人：	徐守一;陈广乐;蔡铭进	申请（专利权）人：	厦门芯达茂微电子有限公司
主分类号：	H01L29/06	分类号：	H01L29/06;H01L21/331;H01L29/739
代理公司：	35234 厦门加减专利代理事务所(普通合伙)	代理人：	王春霞
地址：	361006 福建省厦门市火炬高新区火炬园***	国省代码：	福建;35
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摘要：
搜索关键词：	衬底反向导通场限环截止型氧化物介质层本实用新型电场漂移区终止层载流子漂移高能电子束载流子寿命场氧化层高温退火晶格缺陷辐照钝化层发射极集电极导通反偏晶圆压降背面背离复合引入覆盖
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【权利要求书】：

1.一种反向导通场截止型IGBT，其特征在于：包括衬底；所述衬底为P型衬底(10)；所述P型衬底(10)的背面设有集电极(20)；所述P型衬底(10)的正面设有电场终止层(30)；所述电场终止层(30)背离所述P型衬底(10)的一面设有漂移区(40)；所述漂移区(40)内设有P型的场限环(50)，所述场限环(50)设有多个；所述场限环(50)上设有场氧化层(60)和氧化物介质层(70)；

所述P型衬底(10)的正面还设有P阱(80)，所述P阱(80)内设有发射极(81)；所述氧化物介质层(70)上覆盖设有钝化层(90)。

2.根据权利要求1所述的反向导通场截止型IGBT，其特征在于：所述发射极(81)为N型。

3.根据权利要求1所述的反向导通场截止型IGBT，其特征在于：所述电场终止层(30)的厚度为4um-6um。

4.根据权利要求1所述的反向导通场截止型IGBT，其特征在于：所述漂移区(40)的厚度为45um-55um。

5.根据权利要求1所述的反向导通场截止型IGBT，其特征在于：所述氧化物介质层(70)的厚度为0.3um-0.7um。

6.根据权利要求1所述的反向导通场截止型IGBT，其特征在于：所述集电极(20)采用TiNiAg制成。

7.根据权利要求1所述的反向导通场截止型IGBT，其特征在于：所述钝化层(90)采用SiO₂和Si₃N₄制成。

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