[实用新型]竖直型半导体器件有效
| 申请号： | 201921514929.0 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN210516733U | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/08;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 竖直 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
衬底；
依次叠置在衬底上的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层；以及
绕沟道层的外周形成的栅堆叠，
其中，沟道层包括第一半导体材料层和绕第一半导体材料层外周形成的第二半导体材料层，
其特征在于，分别在第一源/漏层和第二源/漏层中形成的源/漏区在第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层的叠置方向上至少部分地与第一半导体材料层、第二半导体材料层相交迭，使得沟道区能够形成在第一半导体材料层和第二半导体材料层二者中。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，第一半导体材料层、第二半导体材料层以及栅堆叠中的栅介质层形成量子阱结构。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，第二半导体材料层相对于第一源/漏层、第二源/漏层和第一半导体材料层中至少之一形成异质结。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，第一半导体材料层和第二半导体材料层之间存在界面层。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，第一半导体材料层与第一源/漏层、第二源/漏层在所述叠置方向上对准，且其外周相对于第一源/漏层、第二源/漏层的外周凹入，第二半导体材料层至少部分地形成在第一半导体材料层的外周相对于第一源/漏层、第二源/漏层的外周形成的凹入中。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，第二半导体材料层还形成在第二源/漏层的侧壁上。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体器件，其特征在于，第二半导体材料层的厚度为2-10nm。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体器件，其特征在于，第二半导体材料层的厚度小于第一半导体材料层的最小维度。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，
第一半导体材料层是纳米线，且所述最小维度是纳米线的直径；或者
第一半导体材料层是纳米片，且所述最小维度是纳米片的厚度。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，源/漏区包括第一源/漏层和第二源/漏层中的掺杂区，所述掺杂区延伸进入第一半导体材料层中。
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