[实用新型]半导体结构

说明书

该实用新型涉及一种半导体结构。其中所述半导体结构，包括：衬底；设置于所述衬底内的多个第一沟槽；由所述第一沟槽隔开的多个有源区；穿过所述有源区的第二沟槽；位于所述衬底上表面的介电层；窗口，穿透所述介电层与所述衬底相连接，并设置在相邻二个所述第一沟槽和相邻二个所述第二沟槽之间，且所述窗口在所述衬底上表面的投影面积大于等于相邻二个所述第一沟槽和相邻二个所述第二沟槽之间有源区的尺寸。

技术领域

本实用新型涉及DRAM加工领域，具体涉及一种半导体结构。

背景技术

DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)是一种广泛应用于计算机系统的半导体存储器。每一个DRAM通常包括电容器和晶体管，且晶体管的栅极与字线连接，漏极与危险连接，源极与电容器相连接。字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。

随着半导体集成电路器件特征尺寸的不断缩小，DRAM的关键尺寸也越来越小，制程工艺越来越复杂，成本也越来越高。然而，现有技术中生产出来的DRAM良率有限，产量不能适应愈加高涨的需求。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体结构，能够提高生产出来的DRAM良率，适应愈加高涨的产量需求。

为了解决上述技术问题，以下提供了一种半导体结构，包括：衬底；设置于所述衬底内的多个第一沟槽；由所述第一沟槽隔开的多个有源区；穿过所述有源区的第二沟槽；位于所述衬底上表面的介电层；窗口，穿透所述介电层与所述衬底相连接，并设置在相邻二个所述第一沟槽和相邻二个所述第二沟槽之间，且所述窗口在所述衬底上表面的投影面积大于等于相邻二个所述第一沟槽和相邻二个所述第二沟槽之间有源区的尺寸。

可选的，所述第一沟槽内填充有介电材料，以形成一浅沟槽隔离结构。

可选的，所述浅沟槽隔离结构深度范围为800～1600纳米。

可选的，所述介电材料的K值小于3。

可选的，所述第二沟槽内填充有栅极材料及介质材料，以形成字线。

可选的，所述介质材料的介电常数介于1～8之间。

可选的，所述栅极材料包括钨、钛、镍、铝、铂、氮化钛、N型多晶硅及P型多晶硅中的至少一种。

可选的，所述窗口为方形窗口，且所述方形窗口在所述衬底上表面的投影在所述第二沟槽的长度方向上的宽度大于相邻两第一沟槽之间的距离，在垂直于所述第二沟槽的长度方向上的宽度大于相邻两第二沟槽之间的距离。

可选的，所述窗口垂直向下延伸入所述衬底内部至预设深度。

可选的，所述介电层包括无定形硅层。

本实用新型的半导体结构能够完全截断相邻两位线之间的有源区域，防止外露的有源区域与后续形成的电容接触窗的接触，防止由有源区域与电容接触窗之间的接触造成的短接，提高DRAM的生产良率，适应日渐高涨的DRAM产量需求。

附图说明

图1a为本实用新型的一种具体实施方式中半导体结构在字线方向上的剖面示意图。

图1b为本实用新型的一种具体实施方式中半导体结构在垂直字线方向上的剖面示意图。

图2a为本实用新型的一种具体实施方式中半导体结构在字线方向上的剖面示意图。

图2b为本实用新型的一种具体实施方式中半导体结构在垂直字线方向上的剖面示意图。

图3为本实用新型的一种具体实施方式中半导体结构的俯视示意图。