[实用新型]一种光刻版有效
| 申请号： | 201921515122.9 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN210721012U | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 何火军;高周妙;庞海舟;隋晓明;罗宁;赵学锋 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集昕微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 | ||
1.一种光刻版，其特征在于，包括：
光刻基板，包括多个芯片图案区以及划片区；
多个第一沟槽图案，分布在多个芯片图案区内，每个所述第一沟槽图案用于形成相应的一个芯片区中的第一沟槽；以及
多个第二沟槽图案，分布在划片区内，每个所述第二沟槽图案用于形成划片道中的第二沟槽，所述划片道用于限定每个所述芯片区的边缘，
其中，所述多个第二沟槽图案中的至少部分沟槽延伸方向与所述多个第一沟槽图案的部分沟槽延伸方向不平行。
2.根据权利要求1所述的光刻版，其特征在于，每个所述第二沟槽图案为独立复合图形。
3.根据权利要求2所述的光刻版，其特征在于，所述多个第二沟槽图案以一定间隔进行排列。
4.根据权利要求3所述的光刻版，其特征在于，所述多个第二沟槽图案等间距排列。
5.根据权利要求4所述的光刻版，其特征在于，所述多个第二沟槽图案之间的间距为0-100um。
6.根据权利要求3所述的光刻版，其特征在于，所述多个第二沟槽图案之间的间距和/或每个所述第二沟槽图案的宽度可调。
7.根据权利要求2所述的光刻版，其特征在于，所述第二沟槽图案包括至少一个长条形、折线形、圆环形、多边环形组合而成的旋转对称图形。
8.根据权利要求2所述的光刻版，其特征在于，所述第二沟槽图案包括至少一个长条形、折线形、圆环形、多边环形组合而成的旋转非对称图形。
9.根据权利要求8所述的光刻版，其特征在于，所述第二沟槽图案由长度不同的第一折线和第二折线组成，所述第一折线和第二折线的指向垂直。
10.根据权利要求8所述的光刻版，其特征在于，所述第二沟槽图案由多个第三折线组成，所述多个第三折线等间隔排列。
11.根据权利要求8所述的光刻版，其特征在于，所述第二沟槽图案由长度不同的多个第一线条和第二线条组成，所述多个第一线条和所述多个第二线条错位交叉排布。
12.根据权利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述第一沟槽的深度与所述第二沟槽的深度相等。
13.根据权利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述第一沟槽的深度与所述第二沟槽的深度不相等。
14.根据权利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述第一沟槽与所述第二沟槽在同一工艺步骤下制作而成。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
