[实用新型]一种高亮度紫光LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种高亮度紫光LED芯片，其包括：衬底；设于所述衬底表面的外延层，其中所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；设于所述第一半导体层的第一电极；设于所述第二半导体层的第二电极；其中，所述第一半导体层侧壁、有源层侧壁及第二半导体层侧壁设有二次粗糙面。本实用新型在第一半导体层侧壁、有源层侧壁及第二半导体层侧壁设置了形成了二次粗糙面，其能有效提升光提取效率，增加出光效能，提升紫光LED芯片亮度。

技术领域

本实用新型涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种高亮度紫光LED芯片。

背景技术

紫光LED是一种新兴LED芯片，其发光波长在260～400nm，比常见的蓝绿光LED波长短。紫光LED更接近太阳光，不会像蓝光一样影响人体睡眠质量，产生近视问题，因此被认为具有广泛的应用前景。

现有的紫光LED芯片多采用GaN基半导体制成，但由于GaN材料的折射系数大，导致光提出角度小，大幅降低了光提取效率，降低了紫光LED芯片亮度；尤其是紫光的波长较短，导致全反射效应更加明显，光提取效率更低。

在现有的蓝绿光LED芯片中，为了提升其光提取效率，通常会对其侧壁进行粗化，但由于蓝光LED芯片波长较长，一次粗化即可，无需进行进一步粗化。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种高亮度紫光LED芯片，其光提取效率高，亮度高。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种高亮度紫光LED芯片，其包括：

衬底；

设于所述衬底表面的外延层，其中所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；

设于所述第一半导体层的第一电极；

设于所述第二半导体层的第二电极；

其中，所述第一半导体层侧壁、有源层侧壁及第二半导体层侧壁设有二次粗糙面。

作为上述技术方案的改进，所述二次粗糙面上设有第一凸起部，所述第一凸起部为圆形、椭圆形或鱼鳞形。

作为上述技术方案的改进，所述第一凸起部为鱼鳞形。

作为上述技术方案的改进，所述第一凸起部上设有多个第二凸起部，所述第二凸起部为颗粒状。

作为上述技术方案的改进，所述二次粗糙面的粗糙度≥3.2μm。

作为上述技术方案的改进，所述二次粗糙面的粗糙度为3.2～100μm。

作为上述技术方案的改进，还包括设于所述第二半导体表面的透明导电层，所述透明导电层的宽度＜所述第二半导体层的宽度。

作为上述技术方案的改进，还包括设于所述第一半导体层、第二半导体层、透明导电层、第一电极、第二电极表面及侧壁的阻挡层。

作为上述技术方案的改进，所述阻挡层由光刻胶、SiO₂、SiN_x或Ni中的一种制成。

实施本实用新型，具有如下有益效果：

1.本实用新型提供的高亮度紫光LED芯片，在第一半导体层、第二半导体层、有源层边缘设置了二次粗糙面，其能有效提升光提取效率，增加出光效能，提升紫光LED芯片亮度。

2.本实用新型提供的高亮度紫光LED芯片，在第一半导体层、第二半导体层、有源层边缘设置了二次粗糙面，其可有效消除MESA刻蚀后孔洞侧壁的Ga悬键，解决紫光LED侧边漏电问题。

附图说明

图1是本实用新型一实施例中高亮度紫光LED芯片的结构示意图；