[实用新型]一种整合PECVD和PVD镀膜制造HIT电池的设备

权利要求书

1.一种整合PECVD和PVD镀膜制造HIT电池的设备，其特征在于，包括链式循环运行的载板(230)，以及依次设置的用于硅片的机械手上料台(100)、用于硅片正反面镀膜的本征非晶硅镀膜体系(110)、用于硅片的水平移载台一(120)、N层非晶硅镀膜体系(130)、用于硅片的翻转移载台(140)、P层非晶硅镀膜体系(150)、用于硅片的水平移载台二(160)、TCO镀膜体系(170)及用于硅片的机械手下料台(180)；所述载板(230)包括用于本征非晶硅镀膜体系(110)的载板、用于N层非晶硅镀膜体系(130)的载板、用于P层非晶硅镀膜体系(150)的载板以及用于TCO镀膜体系(170)的载板；

所述机械手上料台(100)与水平移载台一(120)之间设置有载板回传循环系统一(190)，所述载板回传循环系统一(190)位于所述本征非晶硅镀膜体系(110)的下方或侧边；

所述水平移载台一(120)与翻转移载台(140)之间设置有载板回传循环系统二(200)，所述载板回传循环系统二(200)位于所述N层非晶硅镀膜体系(130)的下方或侧边；

所述翻转移载台(140)与水平移载台二(160)之间设置有载板回传循环系统三(210)，所述载板回传循环系统三(210)位于所述P层非晶硅镀膜体系(150)的下方或侧边；

所述水平移载台二(160)与机械手下料台(180)之间设置有载板回传循环系统四(220)，所述载板回传循环系统四(220)位于所述TCO镀膜体系(170)的下方或侧边。

2.根据权利要求1所述的一种整合PECVD和PVD镀膜制造HIT电池的设备，其特征在于，所述翻转移载台(140)包括上料区和下料区，所述上料区对接N层非晶硅镀膜端用于硅片上N层非晶硅的下镀膜且所述上料区有硅片翻转功能，所述下料区对接P层非晶硅镀膜端用于硅片上P层非晶硅的下镀膜。

3.根据权利要求1所述的一种整合PECVD和PVD镀膜制造HIT电池的设备，其特征在于，在所述N层非晶硅镀膜体系(130)内采用PECVD镀膜工艺实现N层非晶硅上镀膜或下镀膜，在所述P层非晶硅镀膜体系(150) 内采用PECVD镀膜工艺实现P层非晶硅下镀膜或上镀膜。

4.根据权利要求1所述的一种整合PECVD和PVD镀膜制造HIT电池的设备，其特征在于，在所述N层非晶硅镀膜体系(130)内采用PVD镀膜工艺实现N层非晶硅下镀膜或上镀膜，在所述P层非晶硅镀膜体系(150)内采用PVD镀膜工艺实现P层非晶硅上镀膜或下镀膜。

5.根据权利要求1所述的一种整合PECVD和PVD镀膜制造HIT电池的设备，其特征在于，所述本征非晶硅镀膜体系(110)、N层非晶硅镀膜体系(130)、P层非晶硅镀膜体系(150)及TCO镀膜体系(170)内均设置有镀膜腔体自动清洗机构，镀膜一定时间后进行并采用NF₃气体在腔体里用能产生等离子的电能活化分解。

6.根据权利要求1所述的一种整合PECVD和PVD镀膜制造HIT电池的设备，其特征在于，所述本征非晶硅镀膜体系(110)、N层非晶硅镀膜体系(130)、P层非晶硅镀膜体系(150)及TCO镀膜体系(170)内均设置有镀膜腔体自动清洗机构，镀膜一定时间后进行并采用NF₃气体在腔体外用能产生等离子的电能活化分解，然后导入腔体。