[实用新型]半导体器件

说明书

本实用新型实施例提供一种半导体器件。本实用新型实施例提供的半导体器件包括第一电极层；衬底层，位于第一电极层上；外延层，位于衬底层上并具有远离衬底层的第一表面；阱区，阱区由第一表面向外延层内延伸设置，阱区包括在第一方向上交替分布的第一阱区及第二阱区，第二阱区包括间隔分布的多个掺杂单元，在第一方向上第一阱区的最大宽度大于等于掺杂单元的最大宽度；第二电极层，覆盖外延层及阱区设置。本实用新型实施例提供的半导体器件，在具备优异的正向额定导通能力的同时，具备更强的浪涌电流导通能力。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件。

背景技术

肖特基二极管作为发展时间久、技术成熟的半导体器件结构，其属于一种超高速半导体器件，在能源转换领域得到广泛应用，多用作高频应用环境。

目前的肖特基二极管往往采用结势垒肖特基二极管，在大电流条件下(浪涌电流来临时)，PN结导通，向器件的漂移区注入少子空穴，从而提高器件的浪涌电流能力，因此P型阱区面积越大，器件的浪涌电流能力越强。但是，P型阱区面积越大，在相同面积条件下器件的P型阱区之间的肖特基面积会越小，导致在正向导通模式下，器件的导通电阻显著增加。

因此，亟需一种新的改进的半导体器件。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体器件，能够在具备优异的正向额定导通能力的同时，具备更强的浪涌电流导通能力。

第一方面，本发明实施例提供一种半导体器件，包括：

第一电极层；

衬底层，位于第一电极层上；

外延层，位于衬底层上并具有远离衬底层的第一表面；

阱区，阱区由第一表面向外延层内延伸设置，阱区包括在第一方向上交替分布的第一阱区及第二阱区，第二阱区包括间隔分布的多个掺杂单元，在第一方向上第一阱区的最大宽度大于等于掺杂单元的最大宽度；

第二电极层，覆盖外延层及阱区设置。

根据本发明实施例的一个方面，第一阱区在第一表面上的正投影为条形，掺杂单元在第一表面上的正投影为圆形或多边形。

根据本发明实施例的一个方面，第二阱区内多个掺杂单元规则排布，在垂直于第一方向的第二方向上，分布有一列或者多列掺杂单元。

根据本发明实施例的一个方面，第二电极层包括电连接的第一金属层及第二金属层，第一金属层位于阱区背向衬底层的一侧，第二金属层覆盖外延层及第一金属层设置；

第一金属层与阱区之间形成欧姆接触，第二金属层与外延层之间形成肖特基接触。

根据本发明实施例的一个方面，第一金属层包括与阱区一一对应设置的多个金属块，金属块在阱区上的正投影在阱区的边界范围内。

根据本发明实施例的一个方面，在第一方向上，第一阱区的最大宽度为3μm～20μm，掺杂单元的最大宽度为0.5μm～3μm。

根据本发明实施例的一个方面，衬底层为具有第一掺杂浓度的第一导电类型，外延层为具有第二掺杂浓度的第一导电类型，阱区为第二导电类型；

第一掺杂浓度高于第二掺杂浓度，第一导电类型与第二导电类型相反，第一导电类型为N型。