[实用新型]一种制造HIT电池的非晶硅镀膜设备

权利要求书

1.一种制造HIT电池的非晶硅镀膜设备，其特征在于，包括链式循环运行的载板(200)，以及依次设置的用于硅片的机械手上料台(100)、用于硅片正反面镀膜的本征非晶硅镀膜体系(110)、用于硅片的水平移载台(120)、N层非晶硅镀膜体系(130)、用于硅片的翻转移载台(140)、P层非晶硅镀膜体系(150)及用于硅片的机械手下料台(160)；所述载板(200)包括用于本征非晶硅镀膜体系(110)的载板、用于N层非晶硅镀膜体系(130)的载板及用于P层非晶硅镀膜体系(150)的载板；

所述机械手上料台(100)与水平移载台(120)之间设置有载板回传循环系统一(170)，所述载板回传循环系统一(170)位于所述本征非晶硅镀膜体系(110)的下方或侧边；

所述水平移载台(120)与翻转移载台(140)之间设置有载板回传循环系统二(180)，所述载板回传循环系统二(180)位于所述N层非晶硅镀膜体系(130)的下方或侧边；

所述翻转移载台(140)与机械手下料台(160)之间设置有载板回传循环系统三(190)，所述载板回传循环系统三(190)位于所述P层非晶硅镀膜体系(150)的下方或侧边。

2.根据权利要求1所述的一种制造HIT电池的非晶硅镀膜设备，其特征在于，所述翻转移载台(140)包括上料区和下料区，所述上料区对接N层非晶硅镀膜端用于硅片上N层非晶硅的下镀膜且所述上料区有硅片翻转功能，所述下料区对接P层非晶硅镀膜端用于硅片上P层非晶硅的下镀膜。

3.根据权利要求1所述的一种制造HIT电池的非晶硅镀膜设备，其特征在于，所述N层非晶硅镀膜体系(130)与所述P层非晶硅镀膜体系(150)的镀膜方向相反。

4.根据权利要求1所述的一种制造HIT电池的非晶硅镀膜设备，其特征在于，所述本征非晶硅镀膜体系(110)、N层非晶硅镀膜体系(130)及P层非晶硅镀膜体系(150)内均设置有镀膜腔体自动清洗机构，镀膜一定时间后进行并采用NF₃气体在腔体里用能产生等离子的电能活化分解。

5.根据权利要求1所述的一种制造HIT电池的非晶硅镀膜设备，其特征在于，所述本征非晶硅镀膜体系(110)、N层非晶硅镀膜体系(130) 及P层非晶硅镀膜体系(150)内均设置有镀膜腔体自动清洗机构，镀膜一定时间后进行并采用NF₃气体在腔体外用能产生等离子的电能活化分解，然后导入腔体。

6.一种制造HIT电池的非晶硅镀膜设备，其特征在于，包括链式循环运行的载板(200)，以及依次设置的用于硅片的机械手上料台(100)、用于硅片正反面镀膜的本征非晶硅镀膜体系(110)、用于硅片的水平移载台(120)、PN层非晶硅镀膜体系(220)及用于硅片的机械手下料台(160)；所述载板(200)包括用于本征非晶硅镀膜体系(110)的载板，以及用于PN层非晶硅镀膜体系(220)的载板；

所述PN层非晶硅镀膜体系(220)包括依次设置的N层非晶硅镀膜腔及P层非晶硅镀膜腔，所述N层非晶硅镀膜腔和P层非晶硅镀膜腔之间设置有过渡腔用于隔离；

所述机械手上料台(100)与水平移载台(120)之间设置有载板回传循环系统一(170)，所述载板回传循环系统一(170)位于所述本征非晶硅镀膜体系(110)的下方或侧边；

所述水平移载台(120)与翻转移载台(140)之间设置有载板回传循环系统二(180)，所述载板回传循环系统二(180)位于所述N层非晶硅镀膜体系(130)的下方或侧边。

7.根据权利要求6所述的一种制造HIT电池的非晶硅镀膜设备，其特征在于，在所述N层非晶硅镀膜腔内采用下镀膜方式获得N层非晶硅，在所述P层非晶硅镀膜腔内采用上镀膜方式获得P层非晶硅，且所述过渡腔(210)的真空压力小于1Pa。

8.根据权利要求6所述的一种制造HIT电池的非晶硅镀膜设备，其特征在于，所述PN层非晶硅镀膜体系(220)内N层非晶硅镀膜腔及P层非晶硅镀膜腔的镀膜方向相反。