[实用新型]一种DUI磁性元件

说明书

本实用新型涉及电感器技术领域，特别涉及一种DUI磁性元件，包括两个以上的I型磁芯和两个U型磁芯，两个以上的所述I型磁芯排列在同一条直线上形成中柱磁芯，相邻两个所述I型磁芯之间设有第一气隙，两个所述U型磁芯对称分布在所述中柱磁芯的两侧，所述U型磁芯的开口朝向所述中柱磁芯，所述U型磁芯至所述中柱磁芯之间设有第二气隙；磁件中设置的气隙数量越多，使扩散磁通深入线圈内部的幅度变得更小，降低电磁损耗且提高电磁转化效率。

技术领域

本实用新型涉及电感器技术领域，特别涉及一种DUI磁性元件。

背景技术

现有的线圈类电感器件一般是由磁芯配合线圈组成，为了防止磁饱和现象发生，通常是在磁路中设置磁路气隙。根据专利公开号为CN207217212U的专利文献可知，现有技术中存在UUI型组合磁芯，UUI型组合磁芯指包括I型磁芯和两个U型磁芯的组合，U型磁芯和I型磁芯接触的配合面设置薄片状的气隙介质。

但是由于现有的UUI型组合磁芯中的气隙处还存在扩散磁通，扩散磁通伸入线圈内部，使磁芯的电磁转化效率降低，损耗增加。

实用新型内容

为了克服上述现有技术的缺陷，本实用新型所要解决的技术问题是提供一种DUI磁性元件，能够减小扩散磁通，降低电磁损耗且提高电磁转化效率。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：

一种DUI磁性元件，包括两个以上的I型磁芯和两个U型磁芯，两个以上的所述I型磁芯排列在同一条直线上形成中柱磁芯，相邻两个所述I型磁芯之间设有第一气隙，两个所述U型磁芯对称分布在所述中柱磁芯的两侧，所述U型磁芯的开口朝向所述中柱磁芯，所述U型磁芯至所述中柱磁芯之间设有第二气隙。

进一步的，所述I型磁芯的数量为两个。

进一步的，所述I型磁芯的数量为四个。

进一步的，所述U型磁芯的U型开口的宽度与所述中柱磁芯在所述同一条直线方向上延伸的长度相等。

本实用新型的有益效果在于：在一种DUI磁性元件中，通过设置两个以上的I型磁芯排列在同一条直线上形成中柱磁芯，相邻的两个I型磁芯之间设有第一气隙，U型磁芯至所述中柱磁芯之间设有第二气隙，所述第二气隙的气隙量与所述第一气隙的气隙量根据具体需求进行调整，该磁件中设置的气隙数量越多，能够使扩散磁通深入线圈内部的幅度变得更小，降低电磁损耗且提高电磁转化效率。

附图说明

图1所示为本实用新型的DUI磁性元件的I型磁芯数量为二个的示意图；

图2所示为本实用新型的DUI磁性元件的I型磁芯数量为四个的示意图；

标号说明：

1、I型磁芯；2、U型磁芯；3、第一气隙；4、第二气隙。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。

请参照图1至图2所示，本实用新型的一种DUI磁性元件，包括两个以上的I型磁芯和两个U型磁芯，两个以上的所述I型磁芯排列在同一条直线上形成中柱磁芯，相邻两个所述I型磁芯之间设有第一气隙，两个所述U型磁芯对称分布在所述中柱磁芯的两侧，所述U型磁芯的开口朝向所述中柱磁芯，所述U型磁芯至所述中柱磁芯之间设有第二气隙。

从上述描述可知，本实用新型的有益效果在于：在一种DUI磁性元件中，通过设置两个以上的I型磁芯排列在同一条直线上形成中柱磁芯，相邻的两个I型磁芯之间设有第一气隙，U型磁芯至所述中柱磁芯之间设有第二气隙，所述第二气隙的气隙量与所述第一气隙的气隙量根据具体需求进行调整，磁件中设置的气隙数量越多，使扩散磁通深入线圈内部的幅度变得更小，降低电磁损耗且提高电磁转化效率。