[实用新型]模拟太阳能电池片光照热衰减的装置有效
申请号: | 201921536022.4 | 申请日: | 2019-09-16 |
公开(公告)号: | CN210156352U | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 范维涛;沈鸿烈;黄钧林;张鑫;程晶 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学;维科诚(苏州)光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67;H01L31/18;G01R31/00;G01N25/00;G01N1/44 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙仿卫 |
地址: | 210016 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模拟 太阳能电池 光照 衰减 装置 | ||
模拟太阳能电池片光照热衰减的装置,包括:底盘、连接在底盘上并向上延伸固定支架、用于放置太阳能电池片的下加热器、设置在所述固定支架上的光照加热装置、用于控制所述光照加热装置和下加热器发热量的温度控制系统,光照加热装置包括红外加热灯管,通过红外加热灯管在太阳能电池片上方模拟太阳光,并在太阳能电池片下方设置下加热器使得太阳能电池片受热均匀,通过设置温度控制系统控制太阳能电池片的温度,解决了太阳能电池片上下表面同时加热,精准控制加热温度,并在太阳能电池片上方提供光照的技术问题。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池片制造领域,具体涉及一种模拟太阳能电池片光照热衰减的装置。
背景技术
目前太阳能电池片的生产过程中,存在太阳能电池片经光照后发生热衰减的问题,严重影响太阳能电池片的光电转化效率,针对此问题,行业内普遍采用载流子注入工艺进行解决,太阳能电池片光照热衰减的衰减量是载流子注入工艺重要参考指标,并且不同工艺、不同原材料制作的太阳能电池片光照热衰减的衰减量是有区别的,需要模拟太阳光对太阳能电池片进行光照以检测其热衰减的衰减量,目前的模拟设备主要利用光源配合简易的支架平台,平台无法加热,太阳能电池片容易出现上下表面受热不均,太阳能电池片的温度波动大,导致检测的衰减量不正确,亟需一种能够在太阳能电池片上下表面同时加热,精准控制加热温度,并在太阳能电池片上方提供光照的模拟太阳能电池片光照热衰减的装置。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了克服现有技术的缺点,提供一种能够在太阳能电池片上下表面同时加热,精准控制加热温度,并在太阳能电池片上方提供光照的模拟太阳能电池片光照热衰减的装置。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是,模拟太阳能电池片光照热衰减的装置,包括:
底盘;
用于放置太阳能电池片的下加热器,所述下加热器设置在所述底盘上;
固定支架,所述固定支架连接在所述底盘上并向上延伸;
光照加热装置,所述光照加热装置设置在所述固定支架上,所述光照加热装置位于所述下加热器上方;
所述模拟太阳能电池片光照热衰减的装置还包括温度控制系统,所述温度控制系统包括用于检测所述太阳能电池片温度的探头,所述温度控制系统根据所述探头检测的温度值控制所述光照加热装置和下加热器的发热量;
所述光照加热装置包括红外加热灯管。
优选地,所述红外加热灯管射出的光线正对所述太阳能电池片的上表面。
进一步优选地,所述红外加热灯管盘成与所述太阳能电池片相似的形状,所述红外加热灯管边缘在所述太阳能电池片所在平面的投影位于所述太阳能电池片之外的区域。
优选地,所述探头为非接触式探头。
优选地,所述下加热器与所述太阳能电池片之间设置有耐高温绝缘布。
优选地,所述下加热器中设置有加热电阻,所述下加热器与所述底盘之间设置有水平调节装置。
进一步优选地,所述水平调节装置为位于所述下加热器四周的调节螺栓。
优选地,所述模拟太阳能电池片光照热衰减的装置上罩有屏蔽环境光线的遮光罩。
由于上述技术方案的运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点:
通过红外加热灯管在太阳能电池片上方模拟太阳光,并在太阳能电池片下方设置下加热器使得太阳能电池片受热均匀,通过设置温度控制系统控制太阳能电池片的温度,解决了太阳能电池片上下表面同时加热,精准控制加热温度,并在太阳能电池片上方提供光照的技术问题。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造