[实用新型]一种具有p+区域自对准工艺的碳化硅MOSFET器件有效
| 申请号： | 201921548052.7 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN210778610U | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 姚金才;陈宇;朱超群 | 申请（专利权）人： | 深圳爱仕特科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/45;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳倚智知识产权代理事务所(普通合伙) 44632 | 代理人： | 霍如肖 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 区域 对准 工艺 碳化硅 mosfet 器件 | ||
1.一种具有p+区域自对准工艺的碳化硅MOSFET器件，包括自下而上依次设置的背面漏极金属(13)、碳化硅衬底(1)和碳化硅外延层(2)，其特征在于：所述碳化硅外延层(2)上方内部设置有两组对称布设的p阱(6)，所述p阱(6)内部中间部位设置有由第一次自对准工艺得到的源极接触n+区域(7)，所述源极接触n+区域(7)内部中间部位设置有由第二次自对准工艺得到的源极接触p+区域(8)，所述碳化硅外延层(2)上表面上设置有第一绝缘栅介质层(9)，所述第一绝缘栅介质层(9)上设置有栅电极(10)，所述第一绝缘栅介质层(9)和栅电极(10)上设置有开孔(90)，所述栅电极(10)上和开孔(90)的侧壁上设置有第二绝缘栅介质层(11)，所述第二绝缘栅介质层(11)上设置有源极接触孔(110)，所述源极接触孔(110)内设置有源极金属(12)，所述源极金属(12)位于源极接触n+区域(7)和源极接触p+区域(8)的上方。
2.根据权利要求1所述的一种具有p+区域自对准工艺的碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述源极接触p+区域(8)的深度高于源极接触n+区域(7)而低于p阱(6)。
3.根据权利要求1所述的一种具有p+区域自对准工艺的碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述第一绝缘栅介质层(9)完全覆盖源极接触n+区域(7)的一部分，且与源极接触p+区域(8)之间留有间距。
4.根据权利要求1所述的一种具有p+区域自对准工艺的碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述第一绝缘栅介质层(9)是由热氧化工艺得到的氧化硅层。
5.根据权利要求1所述的一种具有p+区域自对准工艺的碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述栅电极(10)完全覆盖在第一绝缘栅介质层(9)上。
6.根据权利要求1所述的一种具有p+区域自对准工艺的碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述栅电极(10)为多晶硅层。
7.根据权利要求1所述的一种具有p+区域自对准工艺的碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述源极接触孔(110)与开孔(90)共中心线。
8.根据权利要求1所述的一种具有p+区域自对准工艺的碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述源极金属(12)完全覆盖源极接触p+区域(8)，且且部分覆盖源极接触n+区域(7)。
9.根据权利要求1所述的一种具有p+区域自对准工艺的碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述背面漏极金属(13)的总厚度大于1μm。
10.根据权利要求1所述的一种具有p+区域自对准工艺的碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述背面漏极金属(13)为由金属材料TiNiAg、VNiAg、TiNiAu、VNiAu中的一种或任意几种组合而成的淀积层。
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